NAND閃存

+關(guān)注2人關(guān)注

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

文章：205個視頻：1個瀏覽：22756次帖子：1個

全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè)

nand閃存技術(shù)

NAND閃存的發(fā)展歷程

NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來就不斷推動著存儲技術(shù)的進步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)...

2024-08-10 標(biāo)簽：存儲器計算機 NAND閃存 1286 0

NAND閃存和NOR閃存有什么區(qū)別

NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù)，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面對兩者進行...

2024-08-10 標(biāo)簽：NOR閃存存儲器 NAND閃存 3052 0

NAND閃存是什么意思

NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點、應(yīng)用領(lǐng)域以及...

2024-08-10 標(biāo)簽：FlaSh 存儲技術(shù)NAND閃存 2840 0

長江存儲PC411 1TB SSD詳細評測

長江存儲晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現(xiàn)了更高的...

2024-01-16 標(biāo)簽：DRAM SSD NAND閃存 1319 0

Nor Flash與NAND Flash閃存技術(shù)的關(guān)鍵特點區(qū)分

Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實現(xiàn)高效的隨機訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。

2023-12-05 標(biāo)簽：控制器 Nand 嵌入式系統(tǒng) 858 0

NOR FLASH對計算機存儲有何作用？

NOR FLASH是一種非易失性存儲技術(shù)，對計算機存儲具有重大影響，閃存其獨特的特性和功能影響著計算機存儲系統(tǒng)的各個方面

2023-12-05 標(biāo)簽：處理器存儲器 NAND閃存 883 0

長江存儲致態(tài)Ti600 2TB SSD評測分析

致態(tài)Ti600系列SSD采用了長江存儲最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達到7000M...

2023-09-27 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 1262 0

為您的設(shè)計選擇正確的內(nèi)存解決方案

內(nèi)存被視為一種必要的技術(shù)，然而工廠自動化、自動駕駛汽車、便攜式醫(yī)療設(shè)備、邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)傳感器等新應(yīng)用正在迫使性能要求發(fā)生變化。因此用于評估和選擇特定應(yīng)...

2021-07-27 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器內(nèi)存 651 0

如何實現(xiàn)基于FPGA Vivado的74系列IP封裝呢？

雙擊桌面圖標(biāo)打開Vivado 2017.2，或者選擇開始>所有程序>Xilinx Design Tools> Vivado 2017....

2023-07-30 標(biāo)簽：fpga FPGA設(shè)計 TCL 879 0

如何降低SiC/SiO?界面缺陷

目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。

2023-06-13 標(biāo)簽：電容器 MOSFET NAND閃存 729 0

nand閃存帖子

如何為系統(tǒng)選擇合適的NAND閃存

標(biāo)簽：閃存 NAND閃存 2081 5

nand閃存資料下載

從NAND閃存啟動DaVinci EVM立即下載

類別：電子資料 2024-10-16 標(biāo)簽：NAND閃存 EVM davinci 73 0

開放式NAND閃存接口規(guī)范說明書立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-12-13 標(biāo)簽：接口 NAND閃存 320 0

開放式NAND閃存接口規(guī)范立即下載

類別：接口技術(shù) 2022-09-09 標(biāo)簽：接口 NAND閃存 388 0

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-07-23 標(biāo)簽：嵌入式 NAND閃存 439 0

32GB,64GB,128GB的微米異步和同步NAND功能器件的數(shù)據(jù)手冊免費下載立即下載

類別：單片機 2018-08-15 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)接口 NAND閃存 CLK 1066 0

AM335x NAND閃存啟動失敗問題Debug的解決方案詳細概述立即下載

類別：DSP 2018-04-24 標(biāo)簽：NAND閃存 Debug AM335x 1326 0

TMS320DM368NAND閃存啟動原理詳細中文資料概述立即下載

類別：DSP 2018-04-19 標(biāo)簽：NAND閃存 TMS320DM368 1227 0

如何從NAND閃存啟動達芬奇EVM立即下載

類別：傳感與控制 2018-04-18 標(biāo)簽：NAND閃存達芬奇 EVM 865 0

168-Ball NAND Flash and LPDDR PoP (TI OMAP) MCP Features立即下載

類別：DSP 2015-11-16 標(biāo)簽：NAND閃存 LPDRAM MCP 1103 0

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計立即下載

類別：嵌入式技術(shù)論文 2011-12-15 標(biāo)簽：嵌入式接口設(shè)計 NAND閃存 650 0

nand閃存資訊

EMMC和NAND閃存的區(qū)別

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲解決方案也在不斷進步，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和NA...

2024-12-25 標(biāo)簽：存儲技術(shù)NAND閃存 emmc 171 0

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC N...

2024-11-21 標(biāo)簽：NAND閃存 MLC 三星 218 0

SK海力士成功量產(chǎn)321層NAND閃存

近日，SK海力士對外宣布了一項重大技術(shù)突破——成功實現(xiàn)了全球最高的321層1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4...

2024-11-21 標(biāo)簽：存儲 NAND閃存 SK海力士 359 0

三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

三星電子即將啟動一項計劃，將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計將通...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子 NAND閃存 515 0

三星電子計劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來的存儲設(shè)備市場快速增長...

2024-11-01 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 NAND閃存 609 0

SK海力士企業(yè)再獲大額訂單

據(jù)可靠消息，SK海力士已重新啟動向Meta（原Facebook）的數(shù)據(jù)中心供應(yīng)固態(tài)硬盤（SSD）的業(yè)務(wù)。此前，由于Meta延遲訂購，與Fadu合作贏得的...

2024-10-17 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 494 0

三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀元

三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。...

2024-09-23 標(biāo)簽：三星電子 AI NAND閃存 580 0

長江存儲使用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片

9月20日最新資訊指出，長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強大的自主創(chuàng)新能力，成功引入國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，實...

2024-09-20 標(biāo)簽：3D NAND閃存長江存儲 2335 0

西部數(shù)據(jù)計劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù)，估值或達數(shù)百億美元

近日，西部數(shù)據(jù)宣布了一項重大戰(zhàn)略調(diào)整，計劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來，形成兩個獨立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注...

2024-08-22 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 661 0

DRAM大廠第三季對DDR5再度調(diào)漲,價格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動態(tài)揭示，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）行業(yè)巨頭計劃在第三季度對DDR5產(chǎn)品實施新一輪的價格上調(diào)，預(yù)計漲幅將超過15%。此次調(diào)價背后...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAM NAND閃存 DDR5 763 0

nand閃存數(shù)據(jù)手冊

相關(guān)話題

換一批

云儲存

云儲存

+關(guān)注

云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

+關(guān)注

富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

+關(guān)注

3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

江波龍

+關(guān)注
非易失性存儲器

非易失性存儲器

+關(guān)注

非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

合肥長鑫

+關(guān)注

2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
LPDDR4

LPDDR4

+關(guān)注
NOR flash

NOR flash

+關(guān)注

　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

nvme

+關(guān)注

NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

福建晉華

+關(guān)注
3D NAND Flash

3D NAND Flash

+關(guān)注
西數(shù)

西數(shù)

+關(guān)注
4K視頻

4K視頻

+關(guān)注
自研

自研

+關(guān)注
東芝公司

東芝公司

+關(guān)注
Arasan

Arasan

+關(guān)注
SRAM存儲器

SRAM存儲器

+關(guān)注

　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
SQL Server

SQL Server

+關(guān)注
手機內(nèi)存

手機內(nèi)存

+關(guān)注
嵌入式閃存

嵌入式閃存

+關(guān)注
3DXPoint

3DXPoint

+關(guān)注
Intel公司

Intel公司

+關(guān)注
存儲行業(yè)

存儲行業(yè)

+關(guān)注
快閃存儲器

快閃存儲器

+關(guān)注
nosql

nosql

+關(guān)注

　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
安博會

安博會

+關(guān)注
云盤

云盤

+關(guān)注

云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
FORESEE

FORESEE

+關(guān)注

FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
USB 3.0接口

USB 3.0接口

+關(guān)注
Ceph

Ceph

+關(guān)注

換一批

電機控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動駕駛	TI	瑞薩電子
BLDC	PLC	碳化硅	二極管	OpenAI	元宇宙	安森美	ADI
無刷電機	FOC	IGBT	逆變器	文心一言	5G	英飛凌	羅姆
直流電機	PID	MOSFET	傳感器	人工智能	物聯(lián)網(wǎng)	NXP	賽靈思
步進電機	SPWM	充電樁	IPM	機器視覺	無人機	三菱電機	ST
伺服電機	SVPWM	光伏發(fā)電	UPS	AR	智能電網(wǎng)	國民技術(shù)	Microchip

瑞薩	沁恒股份	全志	國民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯?？萍?/a>	Altium
德州儀器	Vishay	Micron	Skyworks	AMS	TAIYOYUDEN	納芯微	HARTING
adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
安森美	DIODES	Nidec	Intel	EPSON	樂鑫	Realtek	ERNI電子
TE Connectivity	Toshiba	OMRON	Sensirion	Broadcom	Semtech	旺宏	英飛凌
Nexperia	Lattice	KEMET	順絡(luò)電子	霍尼韋爾	pulse	ISSI	NXP
Xilinx	廣瀨電機	金升陽	君耀電子	聚洵	Liteon	新潔能	Maxim
MPS	億光	Exar	菲尼克斯	CUI	WIZnet	Molex	Yageo
Samsung	風(fēng)華高科	WINBOND	長晶科技	晶導(dǎo)微電子	上海貝嶺	KOA	Echelon
Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運算放大器	差動放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變增益放大器	隔離放大器
時鐘	時鐘振蕩器	時鐘發(fā)生器	時鐘緩沖器	定時器	寄存器	實時時鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
變送器	傳感器	解析器	編碼器	陀螺儀	加速計	溫度傳感器	壓力傳感器
電機驅(qū)動器	步進驅(qū)動器	TWS	BLDC	無刷直流驅(qū)動器	濕度傳感器	光學(xué)傳感器	圖像傳感器
數(shù)字隔離器	ESD 保護	收發(fā)器	橋接器	多路復(fù)用器	氮化鎵	PFC	數(shù)字電源

開關(guān)電源	步進電機	無線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機
5G	m2m	DSP	MCU	ASIC	CPU	ROM	DRAM
NB-IoT	LoRa	Zigbee	NFC	藍牙	RFID	Wi-Fi	SIGFOX
Type-C	USB	以太網(wǎng)	仿真器	RISC	RAM	寄存器	GPU
語音識別	萬用表	CPLD	耦合	電路仿真	電容濾波	保護電路	看門狗
CAN	CSI	DSI	DVI	Ethernet	HDMI	I2C	RS-485
SDI	nas	DMA	HomeKit	閾值電壓	UART	機器學(xué)習(xí)	TensorFlow

Arduino	BeagleBone	樹莓派	STM32	MSP430	EFM32	ARM mbed	EDA
示波器	LPC	imx8	PSoC	Altium Designer	Allegro	Mentor	Pads
OrCAD	Cadence	AutoCAD	華秋DFM	Keil	MATLAB	MPLAB	Quartus

搜索歷史

NAND閃存

nand閃存技術(shù)

nand閃存帖子

nand閃存資料下載

nand閃存資訊

nand閃存數(shù)據(jù)手冊

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(2人)

C++	Java	Python	JavaScript	node.js	RISC-V	verilog	Tensorflow
Android	iOS	linux	RTOS	FreeRTOS	LiteOS	RT-THread	uCOS
DuerOS	Brillo	Windows11	HarmonyOS

林超文PCB設(shè)計：PADS教程，PADS視頻教程	鄭振宇老師：Altium Designer教程，Altium Designer視頻教程
張飛實戰(zhàn)電子視頻教程	朱有鵬老師：海思HI3518e教程，HI3518e視頻教程
李增老師：信號完整性教程，高速電路仿真教程	華為鴻蒙系統(tǒng)教程，HarmonyOS視頻教程
賽盛：EMC設(shè)計教程，EMC視頻教程	杜洋老師：STM32教程，STM32視頻教程
唐佐林：c語言基礎(chǔ)教程，c語言基礎(chǔ)視頻教程	張飛：BUCK電源教程，BUCK電源視頻教程
正點原子：FPGA教程，F(xiàn)PGA視頻教程	韋東山老師：嵌入式教程，嵌入式視頻教程
張先鳳老師：C語言基礎(chǔ)視頻教程	許孝剛老師：Modbus通訊視頻教程
王振濤老師：NB-IoT開發(fā)視頻教程	Mill老師：FPGA教程，Zynq視頻教程
C語言視頻教程	RK3566芯片資料合集
朱有鵬老師：U-Boot源碼分析視頻教程	開源硬件專題