GaN技術(shù)

如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)？

氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

2024-05-19 標(biāo)簽：晶體管ASM氮化鎵 947 0

一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)—U8722

氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。

2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動電流 726 0

激光功率對金剛石缺陷產(chǎn)生的原因及反應(yīng)機(jī)理簡析

具有通孔結(jié)構(gòu)的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領(lǐng)域， 具有良好的應(yīng)用前景。

2023-08-12 標(biāo)簽：激光器XPS激光功率計 2037 0

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。

2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 859 0

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動器SiC氮化鎵 1030 0

襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標(biāo)簽：led激光器發(fā)光二極管 367 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

2023-08-04 標(biāo)簽：太陽能電池探測器MOCVD 1814 0

PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 1632 0

表面終端金剛石場效應(yīng)晶體管的研究

金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達(dá)5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)

2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器MOSFETFET 1241 0

垂直GaN技術(shù)新突破 新變局

目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。

2024-01-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體氮化鎵 1156 0

英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X充電樁

近日，英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X 充電樁。

2024-01-19 標(biāo)簽：英飛凌新能源汽車歐姆龍 1158 0

深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究

近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和...

2023-09-11 標(biāo)簽：新能源汽車光電探測器碳化硅 678 0

功率器件的材料演進(jìn)之路 氧化鎵商業(yè)化愈發(fā)臨近

如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

2023-08-09 標(biāo)簽：探測器功率半導(dǎo)體碳化硅 406 0

SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：耦合器LSPGaN技術(shù) 2111 0