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標(biāo)簽 > CMOS反相器
CMOS反相器由一個P溝道增強(qiáng)型MOS管和一個N溝道增強(qiáng)型MOS管串聯(lián)組成。通常P溝道管作為負(fù)載管,N溝道管作為輸入管。這種配置可以大幅降低功耗,因為在兩種邏輯狀態(tài)中,兩個晶體管中的一個總是截止的。處理速率也能得到很好的提高,因為與NMOS型和PMOS型反相器相比,CMOS反相器的電阻相對較低。
?。?) 靜態(tài)功耗極低。在穩(wěn)定時,CMOS反相器工作在工作區(qū)Ⅰ和工作區(qū)Ⅴ,總有一個MOS管處于截止?fàn)顟B(tài),流過的電流為極小的漏電流。
?。?) 抗干擾能力較強(qiáng)。由于其閾值電平近似為0.5VDD,輸入信號變化時,過渡變化陡峭,所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等,且隨電源電壓升高,抗干擾能力增強(qiáng)。
?。?) 電源利用率高。VOH=VDD,同時由于閾值電壓隨VDD變化而變化,所以允許VDD有較寬的變化范圍,一般為+3~+18V。
?。?) 輸入阻抗高,帶負(fù)載能力強(qiáng)。
TTL反相器和CMOS反相器是數(shù)字集成電路中的兩種重要類型,它們在多個方面存在顯著差異。以下將從基本原理、電氣特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景及注意事項等方面詳...
當(dāng)控制信號處于高電平狀態(tài)時,輸入信號的邏輯電平將被反轉(zhuǎn)。例如,若輸入信號為高電平,則輸出信號為低電平;若輸入信號為低電平,則輸出信號為高電平。
當(dāng)IC穩(wěn)定工作后,復(fù)位電容E1已充滿電荷,其兩端電壓=VCC。當(dāng)電源掉電時,因復(fù)位電容僅通過復(fù)位電阻R1放電,其電壓下降較慢,若當(dāng)RESET端電壓較高時...
2023-10-23 標(biāo)簽:芯片場效應(yīng)管緩沖器 603 0
生產(chǎn)測試的目的是把好的物品和有瑕疵的物品分離出來,集成電路行業(yè),測試的目標(biāo)是把功能正確的芯片和有瑕疵的芯片分離出來,保證客戶使用的是功能完整的芯片。
2023-09-15 標(biāo)簽:寄存器晶體管DFT設(shè)計 2157 0
半導(dǎo)體,微電子,集成電路都是什么關(guān)系?
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)(屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)),利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè),幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的...
低功耗芯片設(shè)計是本世紀(jì)以來最重要的新興設(shè)計方法。可以說沒有低功耗設(shè)計,就沒有今天的智能手機(jī),移動設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng),及高性能計算等產(chǎn)業(yè)。
2023-06-21 標(biāo)簽:處理器SOC設(shè)計晶體管 3416 0
芯片設(shè)計進(jìn)階之路—亞穩(wěn)態(tài)和同步器
隨著芯片設(shè)計越來越復(fù)雜,功耗問題越來越成為首要問題,單純的單時鐘芯片已經(jīng)是一種奢望,大部分芯片都會由多個甚至幾十上百個異步時鐘驅(qū)動。
如果把cmos反相器中的nmos和pmos顛倒連接,電路能否工作?為什么?
如果把cmos反相器中的nmos和pmos顛倒連接,電路能否工作?為什么? CMOS反相器是數(shù)字電路中非?;A(chǔ)的一種電路,也被廣泛應(yīng)用于不同的場合中,例...
為什么可以用CMOS反相器作為邏輯門電路緩沖級? CMOS反相器是一種特殊類型的邏輯門電路,其主要特點是使用了一對互補(bǔ)型 MOSFET 作為開關(guān)元件,從...
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