芯片封裝

芯片封裝簡(jiǎn)介

　　安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，封裝對(duì)CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用

　　自從Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處理器芯片以來(lái)，20多年里，CPU從Intel 4004、80286、80386、80486發(fā)展到Pentium、PⅡ、PⅢ、P4，從4位、8位、16位、32位發(fā)展到64位；主頻從MHz發(fā)展到今天的GHz；CPU芯片里集成的晶體管數(shù)由2000多個(gè)躍升到千萬(wàn)以上；半導(dǎo)體制造技術(shù)的規(guī)模由SSI、MSI、LSI、VLSI（超大規(guī)模集成電路）達(dá)到ULSI。封裝的輸入/輸出（I/O）引腳從幾十根，逐漸增加到幾百根，甚至可能達(dá)到2000根。這一切真是一個(gè)翻天覆地的變化。

芯片封裝百科

　　安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，封裝對(duì)CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用

　　自從Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處理器芯片以來(lái)，20多年里，CPU從Intel 4004、80286、80386、80486發(fā)展到Pentium、PⅡ、PⅢ、P4，從4位、8位、16位、32位發(fā)展到64位；主頻從MHz發(fā)展到今天的GHz；CPU芯片里集成的晶體管數(shù)由2000多個(gè)躍升到千萬(wàn)以上；半導(dǎo)體制造技術(shù)的規(guī)模由SSI、MSI、LSI、VLSI（超大規(guī)模集成電路）達(dá)到ULSI。封裝的輸入/輸出（I/O）引腳從幾十根，逐漸增加到幾百根，甚至可能達(dá)到2000根。這一切真是一個(gè)翻天覆地的變化。

　　對(duì)于CPU，大家已經(jīng)很熟悉了，286、386、486、Pentium、PⅡ、Celeron、K6、K6-2、Athlon……相信您可以如數(shù)家珍似地列出一長(zhǎng)串。但談到CPU和其他大規(guī)模集成電路的封裝，知道的人未必很多。 所謂封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁--芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，封裝對(duì)CPU和其他LSI（Large Scalc Integrat~on）集成電路都起著重要的作用，新一代CPU的出現(xiàn)常常伴隨著新的封裝形式的使用。 芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了好幾代的變遷，從DIP，QFP，PGA，BGA，到CSP再到MCM，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，包括芯片面積與封裝面積之比越來(lái)越接近于1，適用頻率越來(lái)越高，耐溫性能越來(lái)越好。引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。

　　封裝步驟

　　板上芯片（ChipOnBoard，COB）工藝過(guò)程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂（一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹(shù)脂）覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接 。

　　裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種是COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)（FlipChip）。板上芯片封裝（COB），半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確?？煽啃浴ｋm然COB是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù) 。

　　COB主要的焊接方法

　?。?）熱壓焊

　　利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區(qū)壓焊在一起。其原理是通過(guò)加熱和加壓力，使焊區(qū)（如AI）發(fā)生塑性形變同時(shí)破壞壓焊界面上的氧化層，從而使原子間產(chǎn)生吸引力達(dá)到“鍵合”的目的，此外，兩金屬界面不平整加熱加壓時(shí)可使上下的金屬相互鑲嵌。此技術(shù)一般用為玻璃板上芯片COG 。

　?。?）超聲焊

　　超聲焊是利用超聲波發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過(guò)換能器在超高頻的磁場(chǎng)感應(yīng)下，迅速伸縮產(chǎn)生彈性振動(dòng)，使劈刀相應(yīng)振動(dòng)，同時(shí)在劈刀上施加一定的壓力，于是劈刀在這兩種力的共同作用下，帶動(dòng)AI絲在被焊區(qū)的金屬化層如（AI膜）表面迅速摩擦，使AI絲和AI膜表面產(chǎn)生塑性變形，這種形變也破壞了AI層界面的氧化層，使兩個(gè)純凈的金屬表面緊密接觸達(dá)到原子間的結(jié)合，從而形成焊接。主要焊接材料為鋁線焊頭，一般為楔形 。

　?。?）金絲焊

　　球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術(shù)，因?yàn)楝F(xiàn)在的半導(dǎo)體封裝二、三極管封裝都采用AU線球焊。而且它操作方便、靈活、焊點(diǎn)牢固（直徑為25UM的AU絲的焊接強(qiáng)度一般為0.07～0.09N/點(diǎn)），又無(wú)方向性，焊接速度可高達(dá)15點(diǎn)/秒以上。金絲焊也叫熱（壓）（超）聲焊主要鍵合材料為金（AU）線焊頭為球形故為球焊 。

　　COB封裝流程

　　第一步：擴(kuò)晶。采用擴(kuò)張機(jī)將廠商提供的整張LED晶片薄膜均勻擴(kuò)張，使附著在薄膜表面緊密排列的LED晶粒拉開(kāi)，便于刺晶。第二步：背膠。將擴(kuò)好晶的擴(kuò)晶環(huán)放在已刮好銀漿層的背膠機(jī)面上，背上銀漿。點(diǎn)銀漿。適用于散裝LED芯片。采用點(diǎn)膠機(jī)將適量的銀漿點(diǎn)在PCB印刷線路板上。第三步：將備好銀漿的擴(kuò)晶環(huán)放入刺晶架中，由操作員在顯微鏡下將LED晶片用刺晶筆刺在PCB印刷線路板上。第四步：將刺好晶的PCB印刷線路板放入熱循環(huán)烘箱中恒溫靜置一段時(shí)間，待銀漿固化后取出（不可久置，不然LED芯片鍍層會(huì)烤黃，即氧化，給邦定造成困難）。如果有LED芯片邦定，則需要以上幾個(gè)步驟；如果只有IC芯片邦定則取消以上步驟。第五步：粘芯片。用點(diǎn)膠機(jī)在PCB印刷線路板的IC位置上適量的紅膠（或黑膠），再用防靜電設(shè)備（真空吸筆或子）將IC裸片正確放在紅膠或黑膠上。第六步：烘干。將粘好裸片放入熱循環(huán)烘箱中放在大平面加熱板上恒溫靜置一段時(shí)間，也可以自然固化（時(shí)間較長(zhǎng)）。第七步：邦定（打線）。采用鋁絲焊線機(jī)將晶片（LED晶?；騃C芯片）與PCB板上對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)鋁絲進(jìn)行橋接，即COB的內(nèi)引線焊接。第八步：前測(cè)。使用專(zhuān)用檢測(cè)工具（按不同用途的COB有不同的設(shè)備，簡(jiǎn)單的就是高精密度穩(wěn)壓電源）檢測(cè)COB板，將不合格的板子重新返修。第九步：點(diǎn)膠。采用點(diǎn)膠機(jī)將調(diào)配好的AB膠適量地點(diǎn)到邦定好的LED晶粒上，IC則用黑膠封裝，然后根據(jù)客戶(hù)要求進(jìn)行外觀封裝。第十步：固化。將封好膠的PCB印刷線路板放入熱循環(huán)烘箱中恒溫靜置，根據(jù)要求可設(shè)定不同的烘干時(shí)間。第十一步：后測(cè)。將封裝好的PCB印刷線路板再用專(zhuān)用的檢測(cè)工具進(jìn)行電氣性能測(cè)試，區(qū)分好壞優(yōu)劣 。

　　與其它封裝技術(shù)相比，COB技術(shù)價(jià)格低廉（僅為同芯片的1/3左右）、節(jié)約空間、工藝成熟。但任何新技術(shù)在剛出現(xiàn)時(shí)都不可能十全十美，COB技術(shù)也存在著需要另配焊接機(jī)及封裝機(jī)、有時(shí)速度跟不上以及PCB貼片對(duì)環(huán)境要求更為嚴(yán)格和無(wú)法維修等缺點(diǎn) 。

　　某些板上芯片（CoB）的布局可以改善IC信號(hào)性能，因?yàn)樗鼈內(nèi)サ袅舜蟛糠只蛉糠庋b，也就是去掉了大部分或全部寄生器件。然而，伴隨著這些技術(shù)，可能存在一些性能問(wèn)題。在所有這些設(shè)計(jì)中，由于有引線框架片或BGA標(biāo)志，襯底可能不會(huì)很好地連接到VCC或地?？赡艽嬖诘膯?wèn)題包括熱膨脹系數(shù)（CTE）問(wèn)題以及不良的襯底連接 。

　　倒裝芯片技術(shù)的發(fā)展

　　30多年前，“倒裝芯片”問(wèn)世。當(dāng)時(shí)為其冠名為“C4”，即“可控熔塌芯片互連”技術(shù)。該技術(shù)首先采用銅，然后在芯片與基板之間制作高鉛焊球。銅或高鉛焊球與基板之間的連接通過(guò)易熔焊料來(lái)實(shí)現(xiàn)。此后不久出現(xiàn)了適用于汽車(chē)市場(chǎng)的“封帽上的柔性材料（FOC）”；還有人采用Sn封帽，即蒸發(fā)擴(kuò)展易熔面或E3工藝對(duì)C4工藝做了進(jìn)一步的改進(jìn)。C4工藝盡管實(shí)現(xiàn)起來(lái)比較昂貴（包括許可證費(fèi)用與設(shè)備的費(fèi)用等），但它還是為封裝技術(shù)提供了許多性能與成本優(yōu)勢(shì)。與引線鍵合工藝不同的是，倒裝芯片可以批量完成，因此還是比較劃算 。

　　由于新型封裝技術(shù)和工藝不斷以驚人的速度涌現(xiàn)，因此完成具有數(shù)千個(gè)凸點(diǎn)的芯片設(shè)計(jì)目前已不存在大的技術(shù)障礙小封裝技術(shù)工程師可以運(yùn)用新型模擬軟件輕易地完成各種電、熱、機(jī)械與數(shù)學(xué)模擬。此外，以前一些世界知名公司專(zhuān)為內(nèi)部使用而設(shè)計(jì)的專(zhuān)用工具目前已得到廣泛應(yīng)用。為此設(shè)計(jì)人員完全可以利用這些新工具和新工藝最大限度地提高設(shè)計(jì)性，最大限度地縮短面市的時(shí)間 。

　　無(wú)論人們對(duì)此抱何種態(tài)度，倒裝芯片已經(jīng)開(kāi)始了一場(chǎng)工藝和封裝技術(shù)革命，而且由于新材料和新工具的不斷涌現(xiàn)使倒裝芯片技術(shù)經(jīng)過(guò)這么多年的發(fā)展以后仍能處于不斷的變革之中。為了滿足組裝工藝和芯片設(shè)計(jì)不斷變化的需求，基片技術(shù)領(lǐng)域正在開(kāi)發(fā)新的基板技術(shù)，模擬和設(shè)計(jì)軟件也不斷更新升級(jí)。因此，如何平衡用最新技術(shù)設(shè)計(jì)產(chǎn)品的愿望與以何種適當(dāng)款式投放產(chǎn)品之間的矛盾就成為一項(xiàng)必須面對(duì)的重大挑戰(zhàn)。由于受互連網(wǎng)帶寬不斷變化以及下面列舉的一些其它因素的影響，許多設(shè)計(jì)人員和公司不得不轉(zhuǎn)向倒裝芯片技術(shù) 。

　　其它因素包括：

　?、贉p小信號(hào)電感——40Gbps（與基板的設(shè)計(jì)有關(guān)）；②降低電源/接地電感；③提高信號(hào)的完整性；④最佳的熱、電性能和最高的可靠性；⑤減少封裝的引腳數(shù)量；⑥超出引線鍵合能力，外圍或整個(gè)面陣設(shè)計(jì)的高凸點(diǎn)數(shù)量；⑦當(dāng)節(jié)距接近200μm設(shè)計(jì)時(shí)允許；S片縮小（受焊點(diǎn)限制的芯片）；⑧允許BOAC設(shè)計(jì)，即在有源電路上進(jìn)行凸點(diǎn)設(shè)計(jì) 。

　　芯片常用封裝介紹

　　1、BGA 封裝 （ball grid array）

　　球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以 代替引腳，在印 刷基板的正面裝配 LSI 芯片，然后用模壓樹(shù)脂或灌封方法進(jìn)行密封。也 稱(chēng)為凸 點(diǎn)陳列載體（PAC）。引腳可超過(guò)200，是多引腳 LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比 QFP（四側(cè)引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見(jiàn)方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳 QFP 為40mm 見(jiàn)方。而且 BGA 不 用擔(dān) 心 QFP 那樣的引腳變形問(wèn)題。 該封裝是美國(guó) Motorola 公司開(kāi)發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在 美國(guó)有 可 能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA 的引腳（凸點(diǎn)）中心距為 1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一些 LSI 廠家正在開(kāi)發(fā)500 引腳的 BGA。 BGA 的問(wèn)題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方 法。有的認(rèn)為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過(guò)功能檢查來(lái)處理。 美國(guó) Motorola 公司把用模壓樹(shù)脂密封的封裝稱(chēng)為 OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱(chēng)為 GPAC（見(jiàn) OMPAC 和 GPAC）。

　　2、BQFP 封裝 （quad flat package with bumper）

　　帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起（緩沖墊） 以 防止在運(yùn)送過(guò)程 中引腳發(fā)生彎曲變形。美國(guó)半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和 ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm， 引腳數(shù)從84 到196 左右（見(jiàn) QFP）。

　　3、碰焊 PGA 封裝 （butt joint pin grid array）

　　表面貼裝型 PGA 的別稱(chēng)（見(jiàn)表面貼裝型 PGA）。

　　4、C-（ceramic） 封裝

　　表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如，CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。

　　5、Cerdip 封裝

　　用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于 ECL RAM，DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip

　　用于紫外線擦除型 EPROM 以及內(nèi)部帶有 EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在 日本，此封裝表示為 DIP-G（G 即玻璃密封的意思）。

　　6、Cerquad 封裝

　　表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封裝 DSP 等的邏輯 LSI 電路。帶有窗 口的 Cerquad用 于封裝 EPROM 電路。散熱性比塑料 QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料

　　QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。

　　帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于 封裝紫外線擦除型 EPROM 以及帶有 EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱(chēng)為 QFJ、QFJ-G（見(jiàn) QFJ）。

　　7、CLCC 封裝 （ceramic leaded chip carrier）

　　帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫 外線擦除型 EPROM 以及帶有 EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱(chēng)為 QFJ、QFJ-G（見(jiàn) QFJ）。

　　8、COB 封裝 （chip on board）

　　板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆 蓋以確?？?性。雖然 COB 是最簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如 TAB 和倒片 焊技術(shù)。

　　9、DFP（dual flat package）

　　雙側(cè)引腳扁平封裝。是 SOP 的別稱(chēng)（見(jiàn) SOP）。以前曾有此稱(chēng)法，現(xiàn)在已基本上不用。

　　10、DIC（dual in-line ceramic package）

　　陶瓷 DIP（含玻璃密封）的別稱(chēng)（見(jiàn) DIP）。

　　11、DIL（dual in-line） DIP 的別稱(chēng)（見(jiàn) DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱(chēng)。

　　12、DIP（dual in-line package） 雙列直插式封裝。

　　插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯 IC，存貯器 LSI，微機(jī)電路等。

　　引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封 裝分別稱(chēng)為 skinny DIP 和 slim DIP（窄體型 DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱(chēng)為 DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷 DIP 也稱(chēng)為 cerdip（見(jiàn) cerdip）。

　　13、DSO（dual small out-lint）

　　雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(chēng)（見(jiàn) SOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱(chēng)。

　　14、DICP（dual tape carrier package）

　　雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是 TAB（自 動(dòng)帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng) LSI，但多數(shù)為定制品。另外，0.5mm 厚的存儲(chǔ)器 LSI簿形封裝正處于開(kāi)發(fā)階段。在日本，按照 EIAJ（日本電子機(jī)械工業(yè)）會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將 DICP 命名為DTP。

　　15、DIP（dual tape carrier package）

　　同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì) DTCP 的命名（見(jiàn) DTCP）。

　　16、FP（flat package）

　　扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或 SOP（見(jiàn) QFP 和 SOP）的別稱(chēng)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱(chēng)。

　　17、Flip-chip

　　倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在 LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上 的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。

　　但如果基板的熱膨脹系數(shù)與 LSI 芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹(shù)脂來(lái)加固 LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。其中SiS 756北橋芯片采用最新的Flip-chip封裝，全面支持AMD Athlon 64/FX中央處理器。支持PCI Express X16接口，提供顯卡最高8GB/s雙向傳輸帶寬。支持最高HyperTransport Technology，最高2000MT/s MHz的傳輸帶 寬。內(nèi)建矽統(tǒng)科技獨(dú)家Advanced HyperStreaming Technology，MuTIOL 1G Technology。

　　18、FQFP（fine pitch quad flat package）

　　小引腳中心距 QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的 QFP（見(jiàn) QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱(chēng)。塑 料四邊引出扁平封裝 PQFP（Plastic Quad Flat Package）PQFP 的封裝形式最為普遍。其芯片引腳之間距離很小，引腳很細(xì)，很多大規(guī)?；虺蠹呻娐范疾捎眠@ 種封裝形式，引腳數(shù)量一般都在100個(gè)以上。Intel 系列 CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用這種封裝形式。 此種封裝形式的芯片必須采用 SMT 技術(shù)（表面安裝設(shè)備）將芯片與電路板焊接起來(lái)。采用 SMT 技術(shù)安裝的芯片 不必在電路板上打孔，一般在電路板表面上有設(shè)計(jì)好的相應(yīng)引腳的焊點(diǎn)。將芯片各腳對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的焊點(diǎn)，即可實(shí)現(xiàn) 與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專(zhuān)用工具是很難拆卸下來(lái)的。SMT 技術(shù)也被廣泛的使用在芯 片焊接領(lǐng)域，此后很多高級(jí)的封裝技術(shù)都需要使用 SMT 焊接。

　　以下是一顆 AMD 的 QFP 封裝的286處理器芯片。0.5mm 焊區(qū)中心距，208根 I/O 引腳，外形尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1:7.8，由此可見(jiàn) QFP 比 DIP 的封裝尺寸大大減小了。

　　PQFP 封裝的主板聲卡芯片 19、CPAC（globe top pad array carrier）

　　美國(guó) Motorola 公司對(duì) BGA 的別稱(chēng)（見(jiàn) BGA）。

　　20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 （Ceramic Quad Flat-pack Package）

　　右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝（CQFP），這是封裝還沒(méi)被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工 業(yè)用晶片才有機(jī)會(huì)見(jiàn)到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層（有高起來(lái)，照片上不明顯）用來(lái)防止輻射及其他干擾。 外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機(jī)板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設(shè)計(jì)可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。

　　21、H-（with heat sink）

　　表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的 SOP。

　　22、Pin Grid Array（Surface Mount Type）

　　表面貼裝型 PGA。通常 PGA 為插裝型封裝，引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型 PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長(zhǎng)度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱(chēng) 為碰焊 PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型 PGA 小一半，所以封裝本體可制作得不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多（250～528），是大規(guī)模邏輯 LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

　　PGA 封裝 威剛迷你 DDR333本內(nèi)存

　　23、JLCC 封裝（J-leaded chip carrier）

　　J 形引腳芯片載體。指帶窗口 CLCC 和帶窗口的陶瓷 QFJ 的別稱(chēng)（見(jiàn) CLCC 和 QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家 采用的名稱(chēng)。

　　24、LCC 封裝（Leadless chip carrier）

　　無(wú)引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無(wú)引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻 IC 用 封裝，也稱(chēng)為陶瓷 QFN 或 QFN-C（見(jiàn) QFN）。

　　25、LGA 封裝（land grid array）

　　觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn)已實(shí)用的有227 觸 點(diǎn)（1.27mm 中心距）和447 觸點(diǎn)（2.54mm 中心距）的陶瓷 LGA，應(yīng)用于高速邏輯 LSI 電路。

　　LGA 與 QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對(duì)于高速 LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。

　　AMD 的2.66GHz 雙核心的 Opteron F 的 Santa Rosa 平臺(tái) 26、LOC 封裝（lead on chip）

　　芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作 有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來(lái)把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。

　　日立金屬推出2.9mm 見(jiàn)方3軸加速度傳感器

　　27、LQFP 封裝（low profile quad flat package）

　　薄型 QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的 QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新 QFP外形規(guī)格所用的名稱(chēng)。

　　28、L-QUAD 封裝

　　陶瓷 QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯 LSI 開(kāi)發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許 W3的功率。現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208 引腳（0.5mm 中心距）和160 引腳（0.65mm 中心距）的 LSI 邏輯用封

　　裝，并于1993 年10 月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。

　　29、MCM封裝（multi-chip module）

　　多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。

　　根據(jù)基板材料可分為MCM-L，MCM-C 和MCM-D 三大類(lèi)。

　　MCM-L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

　　MCM-C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類(lèi)似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM-L。

　　MCM-D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

　　30、MFP 封裝（ mini flat package）

　　小形扁平封裝。塑料 SOP 或 SSOP 的別稱(chēng)（見(jiàn) SOP 和 SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(chēng)。

　　31、MQFP 封裝 （metric quad flat package）

　　按照 JEDEC（美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì) QFP 進(jìn)行的一種分類(lèi)。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度 為3.8mm～2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn) QFP（見(jiàn) QFP）。

　　32、MQUAD 封裝 （metal quad）

　　美國(guó) Olin 公司開(kāi)發(fā)的一種 QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可 容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開(kāi)始生產(chǎn)。

　　33、MSP 封裝 （mini square package）

　　QFI 的別稱(chēng)（見(jiàn) QFI），在開(kāi)發(fā)初期多稱(chēng)為 MSP。QFI 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱(chēng)。

　　34、OPMAC 封裝 （over molded pad array carrier）

　　模壓樹(shù)脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó) Motorola 公司對(duì)模壓樹(shù)脂密封 BGA 采用的名稱(chēng)（見(jiàn) BGA）。

　　35、P-（plastic） 封裝

　　表示塑料封裝的記號(hào)。如 PDIP 表示塑料 DIP。

　　36、PAC 封裝 （pad array carrier）

　　凸點(diǎn)陳列載體，BGA 的別稱(chēng)（見(jiàn) BGA）。

　　37、PCLP（printed circuit board leadless package）

　　印刷電路板無(wú)引線封裝。日本富士通公司對(duì)塑料 QFN（塑料 LCC）采用的名稱(chēng)（見(jiàn) QFN）。引腳中心距有

　　0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開(kāi)發(fā)階段。

　　38、PFPF（plastic flat package）

　　塑料扁平封裝。塑料 QFP 的別稱(chēng)（見(jiàn) QFP）。部分 LSI 廠家采用的名稱(chēng)。

　　39、PGA（pin grid array）

　　陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基 板。在未專(zhuān)門(mén)表示出材料名稱(chēng)的情況下，多數(shù)為陶瓷 PGA，用于高速大規(guī)模邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心 距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板代替。也有64～

　　256 引腳的塑料 PGA。另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型 PGA（碰焊 PGA）。（見(jiàn)表面貼

　　裝型 PGA）。

　　40、Piggy Back

　　馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與 DIP、QFP、QFN 相似。在開(kāi)發(fā)帶有微機(jī)的設(shè)備時(shí)用于評(píng) 價(jià)程序確認(rèn)操作。例如，將 EPROM 插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是定制品，市場(chǎng)上不怎么流通。