芯片封裝環(huán)氧膠低溫烘烤固化后再高溫烘烤對(duì)膠層影響有哪些？

芯片封裝環(huán)氧膠低溫烘烤固化后再高溫烘烤對(duì)膠層影響有哪些？

芯片封裝環(huán)氧膠低溫烘烤固化后再進(jìn)行高溫烘烤，對(duì)膠層的影響可能涉及多個(gè)方面，以下是對(duì)此問(wèn)題的詳細(xì)分析：

一、環(huán)氧膠的固化特性

環(huán)氧膠的固化是一個(gè)復(fù)雜的物理化學(xué)過(guò)程，包括潤(rùn)濕、粘接、固化等步驟，最終產(chǎn)生具有三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)的固化產(chǎn)物。低溫固化環(huán)氧膠是一種能在較低溫度下快速固化，且不損傷耐熱精密電子元器件的膠粘劑。其固化原理通常是聚氨酯預(yù)聚體與空氣中的水分反應(yīng)，固化交聯(lián)而形成穩(wěn)定的化學(xué)結(jié)構(gòu)。

二、低溫烘烤固化的影響

低溫烘烤固化環(huán)氧膠時(shí)，固化溫度低且固化速度快，不會(huì)損害溫度敏感型器件，并能在極短的時(shí)間內(nèi)在各種材料之間形成最佳粘接力。這種固化方式適用于記憶卡、CCD/CMOS、攝像頭模組、LED背光模組、鏡頭模組等溫度敏感、不能進(jìn)行高溫固化的應(yīng)用點(diǎn)。

三、高溫烘烤對(duì)膠層的影響

硬度變化：

環(huán)氧樹脂膠在高溫烘烤下，其硬度可能會(huì)降低，表現(xiàn)出一定的軟化現(xiàn)象。這是因?yàn)楦邷丶铀倭朔肿渔湹臒徇\(yùn)動(dòng)，使得材料內(nèi)部的應(yīng)力得到釋放，從而導(dǎo)致硬度下降。但具體程度取決于烘烤溫度及環(huán)氧樹脂膠的配方和種類。

性能穩(wěn)定性：

高溫烘烤可能導(dǎo)致環(huán)氧膠層的性能發(fā)生變化，如耐濕熱、冷熱循環(huán)性能等可能降低。這是因?yàn)楦邷乜赡芷茐沫h(huán)氧膠內(nèi)部的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而影響其整體性能。

粘接強(qiáng)度：

高溫烘烤可能導(dǎo)致環(huán)氧膠與基材之間的粘接強(qiáng)度降低。這是因?yàn)楦邷乜赡苁弓h(huán)氧膠與基材之間的界面發(fā)生破壞，從而降低粘接強(qiáng)度。

產(chǎn)生氣泡或變色：

如果高溫烘烤的溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，還可能導(dǎo)致環(huán)氧膠層產(chǎn)生氣泡或變色，進(jìn)一步影響其外觀和性能。

四、建議與注意事項(xiàng)

選擇合適的烘烤溫度和時(shí)間：

在進(jìn)行高溫烘烤之前，應(yīng)充分了解環(huán)氧膠的烘烤溫度和時(shí)間要求，避免溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致膠層性能下降。

考慮環(huán)氧膠的配方和種類：

不同配方和種類的環(huán)氧膠對(duì)高溫的耐受能力不同，因此在進(jìn)行高溫烘烤之前，應(yīng)了解所使用環(huán)氧膠的具體性能特點(diǎn)。

注意烘烤環(huán)境：

烘烤過(guò)程中應(yīng)注意通風(fēng)換氣，以降低烘烤環(huán)境對(duì)環(huán)氧膠固化效果的影響。同時(shí)，應(yīng)避免在相對(duì)濕度過(guò)高的環(huán)境下進(jìn)行烘烤。

進(jìn)行性能測(cè)試：

在高溫烘烤后，應(yīng)對(duì)環(huán)氧膠層進(jìn)行性能測(cè)試，以確保其滿足使用要求。

綜上所述，環(huán)氧膠低溫烘烤固化后再進(jìn)行高溫烘烤可能對(duì)膠層產(chǎn)生多方面的影響。因此，在進(jìn)行烘烤操作時(shí)，應(yīng)充分考慮環(huán)氧膠的固化特性、烘烤溫度和時(shí)間要求以及烘烤環(huán)境等因素，以確保烘烤后的環(huán)氧膠層具有良好的性能。

文章來(lái)源：漢思新材料