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標(biāo)簽 > 硅光芯片
SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。硅光芯片是通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路。
SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。硅光芯片是通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路。
硅光芯片具有高運(yùn)算速度、低功耗、低時(shí)延等特點(diǎn),且不必追求工藝尺寸的極限縮小,在制造工藝上,也不必像電子芯片那樣嚴(yán)苛,必須使用極紫外光刻機(jī)(EUV)。
材料差異: 硅光芯片主要使用硅作為材料,而傳統(tǒng)芯片則使用硅晶體。硅光芯片利用硅的光學(xué)特性,而傳統(tǒng)芯片則利用硅的電學(xué)特性。 功能差異: 硅光芯片主要用于光...
硅光集成芯片是一種基于硅基的光電子大規(guī)模集成技術(shù),以光子和電子為信息載體,具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。
這篇筆記介紹MEMS型硅光芯片封裝的一則最新進(jìn)展,瑞典皇家理工學(xué)院KTH研究組聯(lián)合洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院EPFL、愛爾蘭的Tyndall、IMEC等多個(gè)機(jī)構(gòu),...
在光電子融合中,硅光子學(xué)發(fā)揮著核心作用。硅光子學(xué)是一種利用CMOS制程技術(shù),支援半導(dǎo)體工業(yè)在硅基板上整合光接收元件、光調(diào)變器、光波導(dǎo)和電子電路等元件的技...
提高芯片的處理速度,對于提高計(jì)算機(jī)性能至關(guān)重要,但由于簡單的小型化和高積集度有先天性的限制,因此平行處理器架構(gòu)和3D電路結(jié)構(gòu)的發(fā)展正被半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所關(guān)注。...
硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù),能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能,是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。光纖到硅...
2023-08-15 標(biāo)簽:耦合芯片設(shè)計(jì)診斷儀 979 0
光纖微裂紋診斷儀(OLI)對硅光芯片耦合質(zhì)量和內(nèi)部裂紋損傷檢測非常有優(yōu)勢,以亞毫米級別的空間分辨率精準(zhǔn)探測到光鏈路中每個(gè)事件節(jié)點(diǎn),具有靈敏度高、定位精準(zhǔn)...
2023-08-05 標(biāo)簽:耦合芯片設(shè)計(jì)硅光芯片 914 0
硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù),能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能,是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。
硅光芯片技術(shù)的發(fā)展歷程可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí),人們開始研究將半導(dǎo)體器件與光學(xué)元件集成在一起。
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)編譯自eetimes Tower預(yù)計(jì)今年硅光子業(yè)務(wù)收入將增長一倍以上,約達(dá)1億美元。 Tower Semic...
2024-11-21 標(biāo)簽:硅光芯片 227 0
硅光芯片創(chuàng)新轉(zhuǎn)型,測試測量新需求
根據(jù)Lightcounting的預(yù)測,光通信行業(yè)已經(jīng)處在硅光子技術(shù)規(guī)模應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn),使用基于硅光光模塊市場份額有望從2022年的24%增加到2028年的...
硅光技術(shù):最新進(jìn)展與未來發(fā)展趨勢探析
在當(dāng)今集成電路技術(shù)的迅猛浪潮中,硅光芯片技術(shù)的崛起并非偶然之舉,而是應(yīng)對傳統(tǒng)集成電路在數(shù)據(jù)傳輸與能效瓶頸上的必然產(chǎn)物。隨著信息技術(shù)的日新月異,對數(shù)據(jù)傳...
中國芯片重大突破!國內(nèi)首款2Tbs三維集成硅光芯片的亮相
來源:湖北發(fā)布 中國信息通信科技集團(tuán)有限公司由原武漢郵電科學(xué)研究院(烽火科技集團(tuán))和原電信科學(xué)技術(shù)研究院(大唐電信集團(tuán))聯(lián)合重組而成,是國務(wù)院國資委直屬...
中國信科實(shí)現(xiàn)國內(nèi)首款2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣
在“武漢新城·世界光谷”的璀璨舞臺上,中國信科集團(tuán)以其卓越的科技創(chuàng)新成果再次點(diǎn)亮了信息產(chǎn)業(yè)的未來之光。近日,于“加快推動(dòng)‘三個(gè)優(yōu)勢轉(zhuǎn)化’,重塑新時(shí)代武漢...
洛微科技引領(lǐng)硅光FMCW芯片技術(shù)革新,推動(dòng)激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2024年5月15日,由中國激光類垂直媒體激光之家與湖北省光學(xué)學(xué)會(huì)聯(lián)合舉辦的《2024激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會(huì)》在武漢光谷圓滿落幕。
2024-05-21 標(biāo)簽:FMCW激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 598 0
上海微技術(shù)研究院標(biāo)準(zhǔn)180nm硅光工藝在八英寸SOI上制備了硅光芯片
近日,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所硅基材料與集成器件實(shí)驗(yàn)室蔡艷研究員、歐欣研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì),在通訊波段硅基鈮酸鋰異質(zhì)集成電光調(diào)制器方面取得了重要進(jìn)展。
MEMS和硅光集成工藝成果入選《2023年上海科技進(jìn)步報(bào)告》
近日,上海發(fā)布了《2023年上??萍歼M(jìn)步報(bào)告》,來自上海工研院的MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項(xiàng)國際先進(jìn)水平技術(shù)成果入選。
國科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長)級別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代,國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡稱:國科光芯)在國內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺,實(shí)現(xiàn)了傳...
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