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標(biāo)簽 > 柵極電荷
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基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2448 0
MOSFET的動(dòng)態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表...
光伏系統(tǒng)輔助電源逆變器應(yīng)用方案設(shè)計(jì)
Littelfuse作為深耕功率控制、電路保護(hù)和傳感器產(chǎn)品與服務(wù)近百年歷史的專業(yè)供應(yīng)商,很早就關(guān)注并投入可再生能源應(yīng)用的研發(fā),時(shí)至今日, 眾多的產(chǎn)品系列...
2022-08-21 標(biāo)簽:傳感器TVS二極管光伏系統(tǒng) 2189 0
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè),或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4057 0
深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性更為重要,本文主要討論動(dòng)態(tài)特性。...
共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管AO8810/L數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:電源技術(shù) 2024-03-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電荷 164 0
WSP8814英文數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:產(chǎn)品手冊(cè) 2017-07-28 標(biāo)簽:mosfet柵極電荷 649 0
MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET柵極電荷匹配設(shè)計(jì)立即下載
類別:電源技術(shù) 2011-03-31 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極電荷 1455 0
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET高速開關(guān)Rohm 1006 0
LE9879QTW40為輔助泵和風(fēng)扇應(yīng)用提供高質(zhì)量的解決方案
TLE9879QTW40 為輔助泵和風(fēng)扇應(yīng)用提供高質(zhì)量的解決方案 英飛凌的TLE987x系列可實(shí)現(xiàn)高級(jí)電機(jī)控制算法 TLE987x系列解決了廣泛的智能三...
MOSFET產(chǎn)品采用低熱阻的POWERDI 5060-8封裝,實(shí)現(xiàn)175°C最高工作結(jié)溫
DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機(jī)控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求,完全通過電子雪崩測(cè)試,實(shí)現(xiàn)可承受高脈沖反向雪崩能量的穩(wěn)定設(shè)計(jì)...
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