VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過
2018-08-27 20:50:45
和器件特性
相關(guān)的三個(gè)主要
功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通
損耗、傳導(dǎo)
損耗和關(guān)斷
損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通
開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
2020-06-28 15:16:35
數(shù)據(jù)。 在功率調(diào)節(jié)器電路中，比較了使用PrestoMOS時(shí)的損耗和傳統(tǒng)的MOSFET與FRD組合的損耗。使用PrestoMOS時(shí)，削減了VF比FRD低的這部分的再生損耗。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路例中
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個(gè)階段，但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
這個(gè)損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。3）開關(guān)損耗：開通損耗：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1）選擇原則：a.根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見下
2021-08-29 18:34:54
；該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET開關(guān)波形（1）：實(shí)驗(yàn)電路（2）：因二極管反向恢復(fù)引起的MOSFET 開關(guān)波形功率MOSFET的功率損耗公式（1）：導(dǎo)通損耗該公式對(duì)控制
2021-09-05 07:00:00
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時(shí)、開通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評(píng)估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
損耗由式(1)給出。 控制這個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式(2a)和式(2b)給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保由
2020-08-27 08:07:20
的功率損耗由式（1）給出?！ 】刂七@個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式（2a）和式（2b）給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保
2023-03-16 16:37:04
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
查考的事項(xiàng)，但如果從柵極驅(qū)動(dòng)電路中消除了 LSOURCE 的影響，則根據(jù) Figure 4 中說明的原理，開關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷，雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著，但速度同樣也會(huì)變快。這就意味著開關(guān)損耗得到
2020-11-10 06:00:00
。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來控制漏極電流的，因此它的一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小。其第二個(gè)顯著特點(diǎn)是開關(guān)速度快，工作頻率高，電力MOSFET的工作頻率在下降時(shí)間主要由輸入回路時(shí)間常數(shù)決定
2012-06-14 20:30:08
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān)，需要能夠應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的市場(chǎng)的新型驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。由于其優(yōu)異的熱特性，SiC器件在各種應(yīng)用中代表了優(yōu)選的解決方案，例如汽車領(lǐng)域的功率驅(qū)動(dòng)電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關(guān)速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開關(guān)
2018-11-30 11:31:17
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
2017-04-15 15:48:51
在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。然而，快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬
2020-10-29 08:23:33
注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過ZVS的工作優(yōu)點(diǎn)在IGBT中
2019-03-06 06:30:00
通期間的功率損耗由式(1)給出?？刂七@個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式(2a)和式(2b)給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保
2019-09-02 08:00:00
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請(qǐng)問怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
。電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)在下文中分別稱為VSD和CSD?！ ?duì)于所有測(cè)試，都使用了主動(dòng)米勒夾緊功能。對(duì)于分析，僅考慮了開啟損耗。對(duì)功率器件進(jìn)行了不同負(fù)載條件和不同開關(guān)速度的評(píng)估。圖4顯示了不同柵極電阻下
2023-02-21 16:36:47
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
仍然過高，有多種辦法可以解決： 改變問題的定義。例如，重新定義輸入電壓范圍?！ 「淖?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)頻率以便降低開關(guān)損耗，有可能使用更大一點(diǎn)的、RDS（ON）更低的開關(guān)MOSFET?！ ≡黾?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電流，有可能
2021-01-11 16:14:25
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
的平方而增加。大多數(shù)MOSFET是N溝道增強(qiáng)型，即通常關(guān)斷，需要大約12V的柵極驅(qū)動(dòng)，這很容易由標(biāo)準(zhǔn)IC提供。最小閾值電壓介于 1 至 4 V 之間，可提供高達(dá) 500 V 的 P 溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-02-20 16:40:52
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開關(guān)過程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能
2017-03-28 11:17:44
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
(1)給出?？刂七@個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式(2a)和式(2b)給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保由外部元器件而不是
2020-08-04 08:00:00
MOSFET，從電源IC的PWM輸出的輸出信號(hào)，但如果直接和MOSFET的柵極相接，反而無(wú)法獲得最佳工作狀態(tài)，必須配合電路和要求的特性進(jìn)行調(diào)整。具體來說，就是將MOSFET的開關(guān)損耗和噪聲優(yōu)化。 分別
2018-11-27 16:58:07
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
通期間的功率損耗由式(1)給出?？刂七@個(gè)損耗的典型方法是使功率開關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式(2a)和式(2b)給出，通過基極或柵極過電流驅(qū)動(dòng)，確保
2019-09-23 08:00:00
那里，因?yàn)殡姾珊碗娙菔枪潭ǖ?。?MOSFET 開關(guān)需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須以高電流驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極，以便增加或消除柵極電荷，以減少功率損耗。公式1計(jì)算隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器將
2022-11-02 12:02:05
較高的高頻電流，特別是在 MOSFET 開關(guān)期間。圖 2：降壓功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)器的“剖析原理圖”（包含感性和容性寄生元素）。有效高頻電源回路電感 (LLOOP) 是總漏極電感 (LD)、共源電感 (LS)（即
2020-11-03 07:54:52
。這可以減少開關(guān)功率損耗，提高系統(tǒng)效率。因此，驅(qū)動(dòng)電流通常被認(rèn)為是選擇柵極驅(qū)動(dòng)器的重要指標(biāo)。與驅(qū)動(dòng)電流額定值相對(duì)應(yīng)的是柵極驅(qū)動(dòng)器的漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。理想情況下，MOSFET完全導(dǎo)
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
高于MOSFET兩端的電壓。由于對(duì)于相同的電流水平，P = I×V（其中P是功耗，I是電流，V是電壓降），通過MOSFET通道的傳導(dǎo)損耗顯著低于通過體二極管的傳導(dǎo)損耗。這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過用諸如功率MOSFET的有源控制器件代替二極管來提高這些電路的效率…
2022-11-14 07:53:24
摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過循環(huán)儲(chǔ)存在柵極電容中的能量來實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:18
2182 
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2011-03-30 16:44:242014 
關(guān)于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)的 研究
2011-10-11 19:27:56186 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
2016-07-22 15:38:230 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2017-09-14 09:55:0225 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗
2020-01-08 08:00:0011 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512408 。功率MOSFET和IGBT具備隔離的柵極體，因此更容易驅(qū)動(dòng)器。功率MOSFET的缺點(diǎn)是增益小，偶爾柵極驅(qū)動(dòng)的電壓甚至是少于實(shí)際要控制的電壓。 TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和高速電源開關(guān)特性。適合于各種設(shè)備應(yīng)用，如繼電器電路和開關(guān)電源電路
2022-08-16 14:30:56791 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0335 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗（包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17387 MOSFET和IGBT等的開關(guān)損耗問題，那就是帶有驅(qū)動(dòng)器源極引腳（所謂的開爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗”中，將介紹功率開關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:18634 
說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后（驅(qū)動(dòng)電阻大小，驅(qū)動(dòng)電壓等），開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗，即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。
2023-02-23 10:40:50428 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)主開關(guān)晶體管柵極的最簡(jiǎn)單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動(dòng)輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動(dòng)和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 
具體而言，大電流柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過最小化開關(guān)損耗來幫助提高整體系統(tǒng)效率。當(dāng) FET 打開或打開和關(guān)閉時(shí)，會(huì)發(fā)生開關(guān)損耗。要打開FET，柵極電容必須充電超過閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流有利于柵極電容
2023-04-07 10:23:291231 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 場(chǎng)效應(yīng)管？
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來匹配 MOSFET 對(duì)于設(shè)計(jì)最佳系統(tǒng)至關(guān)重要。錯(cuò)誤的選擇會(huì)不必要地增加 MOSFET 的開關(guān)損耗，從而降低系統(tǒng)效率。但也是一個(gè)錯(cuò)誤的選擇會(huì)大大增加噪聲，可能會(huì)增加VS下沖、HO或LO尖峰，并且在極端，導(dǎo)致?lián)舸?，損壞 MOSFET 和
2023-07-24 15:51:430 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論