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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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長(zhǎng)周期認(rèn)證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢(shì)與后來(lái)者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
高效焊接新選擇:比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)
比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)憑借其獨(dú)到的技術(shù)優(yōu)勢(shì),在眾多點(diǎn)焊機(jī)中獨(dú)樹(shù)一幟。比斯特晶體管點(diǎn)焊機(jī)配備了精確的焊接控制單元,能夠細(xì)致調(diào)整電流、焊接...
2024-12-27 標(biāo)簽:晶體管焊接點(diǎn)焊機(jī) 51 0
三菱電機(jī)開(kāi)始提供S1系列HVIGBT模塊樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于12月26日開(kāi)始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊樣品,這兩款模塊額定電壓均為1.7kV,適用于鐵...
英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
芯東西12月16日?qǐng)?bào)道,在IEDM 2024(2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議)上,英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)...
作為技術(shù)史上最重要的產(chǎn)品之一,8080被認(rèn)為是第一款真正的通用微處理器。
比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)的參數(shù)詳情
比斯特 BT-550D 電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)的的參數(shù)詳情充分彰顯著它的專業(yè)與強(qiáng)大。這款點(diǎn)焊機(jī)具備可調(diào)節(jié)的焊接電流范圍,能依據(jù)不同焊件材質(zhì)與厚度靈活設(shè)定,...
2024-12-19 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 102 0
搶先領(lǐng)??!高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書(shū)推薦
高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗(yàn)證的白皮書(shū)共33頁(yè),被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...
EEPROM在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的使用
1. EEPROM的工作原理 EEPROM是一種可以通過(guò)電信號(hào)擦除和重寫(xiě)的存儲(chǔ)器。它通常由浮柵晶體管組成,這些晶體管可以存儲(chǔ)電荷,從而代表數(shù)據(jù)。當(dāng)需要更...
2024-12-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)晶體管 340 0
半導(dǎo)體未來(lái)三大支柱:先進(jìn)封裝、晶體管和互連
原創(chuàng) 杜芹 半導(dǎo)體芯聞 最近一段時(shí)間以來(lái),芯片巨頭英特爾在商業(yè)和市場(chǎng)層面經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但有一說(shuō)一,英特爾在前沿技術(shù)領(lǐng)域的探索和布局依然具有行業(yè)標(biāo)桿意義...
射頻放大器工作原理 信號(hào)輸入 :射頻放大器接收來(lái)自調(diào)制器的信號(hào),這些信號(hào)通常包含要傳輸?shù)男畔ⅰ?放大過(guò)程 :放大器的核心功能是增加信號(hào)的功率。這通常通過(guò)...
比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,各類先進(jìn)設(shè)備不斷涌現(xiàn),比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)憑借其出色的性能在多個(gè)行業(yè)中脫穎而出。這款設(shè)備以其精確的焊接控制...
2024-12-13 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 120 0
IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術(shù)的新突破
IBM 與日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國(guó)際電子器件會(huì)議上,對(duì)外展示了雙方攜手合作所研發(fā)的多閾值電壓 GAA 晶體管...
比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):技術(shù)特點(diǎn)詳解
比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī),作為深圳比斯特自動(dòng)化設(shè)備有限公司的一款旗艦產(chǎn)品,以其出色的性能和生產(chǎn)效率在工業(yè)領(lǐng)域獲得諸多好評(píng)。這款設(shè)備不僅展...
2024-12-12 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 148 0
意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì),并...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體晶體管 153 0
Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長(zhǎng)市場(chǎng)需求
近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專為支持多種電力拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
安森美以1.15億美元收購(gòu)Qorvo的SiC JFET技術(shù)
安森美(onsemi,納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiCJFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及...
耦合器在工業(yè)自動(dòng)化中扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是光電耦合器(也稱為光耦合器晶體管或光耦),其重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、電氣隔離與保護(hù) 隔離高低...
場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì) 場(chǎng)效應(yīng)管的負(fù)載能力分析
場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì) 高輸入阻抗 :場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅(qū)動(dòng)電流非常小,這對(duì)于低功耗應(yīng)用非常有利。 低噪聲 :場(chǎng)效應(yīng)管由于其高輸入阻抗...
2024-12-09 標(biāo)簽:集成電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 263 0
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別是什么呢
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,以下是對(duì)這兩者的比較: 一、工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管 : 導(dǎo)電過(guò)程主要依賴于多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),因此被稱為單極型晶...
2024-12-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管集電極 305 0
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