寄生電阻

測(cè)試電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率的方法

正確測(cè)試電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率的方法導(dǎo)線(xiàn)上存在電阻，不同設(shè)備之間連接的卡口處存在接觸電阻，這些電阻在流過(guò)電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的電壓降，也會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的損耗，所以我們...

2024-01-05 標(biāo)簽：電阻電流回路電源系統(tǒng) 636 0

深度解析多層互連的過(guò)孔設(shè)計(jì)

交錯(cuò)的孔會(huì)引入寄生電阻和寄生電容，除非是設(shè)計(jì)本來(lái)就有的，否則寄生效應(yīng)會(huì)對(duì)電路性能構(gòu)成不利的影響，會(huì)增加后仿真中調(diào)整參數(shù)的工作量。

2023-12-14 標(biāo)簽：集成電路電容cpu 1112 0

采用先進(jìn)的兩點(diǎn)法分析極片電阻率的各影響因素

德國(guó)布倫瑞克工業(yè)大學(xué)的Bastian Georg Westphal介紹了一種快速簡(jiǎn)易的兩點(diǎn)法裝置（ATPM），用于測(cè)試電池制備過(guò)程中的極片電阻率的相對(duì)大小

2023-12-01 標(biāo)簽：鋰離子電池接觸電阻寄生電阻 1382 0

聊一聊FDSOI工藝中的latch up（pseudo）

一般多電源軌的ESD方案如圖1所示。最左側(cè)兩個(gè)diode用于HBM（Human Body Model）保護(hù)

2023-10-31 標(biāo)簽：ESD保護(hù)CDMCMOS晶體管 3575 0

MOSFET射頻等效電路寄生電阻的確定方法

RF技術(shù)被廣泛應(yīng)用于許多多領(lǐng)域，如：WLAN、手機(jī)、雷達(dá)、GPS、5G/6G、藍(lán)牙、電視、自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用當(dāng)中RF設(shè)計(jì)工程師使用EDA軟件為商...

2023-10-31 標(biāo)簽：MOSFET射頻RF 1836 0

如何對(duì)Spectre下的LC-VCO進(jìn)行仿真驗(yàn)證？

LC-VCO的等效電路如圖1所示，實(shí)際應(yīng)用中L1和L2由帶中間抽頭的對(duì)稱(chēng)電感組成，抽頭接電流源（圖中i）。

2023-10-30 標(biāo)簽：振蕩器MOS管VCO 2233 0

7種電子工程師必備的PCB走線(xiàn)方式

如果電源走線(xiàn)很長(zhǎng)，則由于浪涌電流的存在進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致高頻噪聲，而此高頻噪聲會(huì)引入到其他信號(hào)中去。而在高速電路中必然會(huì)存在寄生電感和寄生電阻以及寄生電容，因此...

2023-10-10 標(biāo)簽：旁路電容pcb寄生電阻 1394 0

什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？

DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；

2023-09-28 標(biāo)簽：晶體管寄生電容電源完整性 4832 0

FinFET到底是什么呢？

提到FET，學(xué)電子的人都比較熟悉，F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor，場(chǎng)效應(yīng)管。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 3658 0

物理設(shè)計(jì)中的問(wèn)題詳解

物理設(shè)計(jì)中的問(wèn)題詳解

2023-07-05 標(biāo)簽：晶體管寄生電容NPN 1010 0

射頻貼片電感在選型與使用中的注意要點(diǎn)

在射頻電路中，電感是非常重要的無(wú)源器件，在射頻電路中可以實(shí)現(xiàn)匹配、濾波、諧振及去耦等作用。

2023-07-04 標(biāo)簽：電感器射頻電路DCR 3880 0

如何從SYZ參數(shù)提取電容C和電感L—單端口

這個(gè)問(wèn)題比較簡(jiǎn)單，但很多人搞不清楚。比如用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)？一個(gè)端口還是兩個(gè)端口？用Y11? Z11? Y21? Z21? 用哪個(gè)公式？

2023-06-20 標(biāo)簽：電容器SPICE仿真寄生電阻 3725 0

先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素——線(xiàn)邊緣粗糙度(LER)

由后段制程(BEOL)金屬線(xiàn)寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線(xiàn)間距需要更窄的線(xiàn)關(guān)鍵尺寸(CD)和線(xiàn)間隔...

2023-06-09 標(biāo)簽：電容寄生電阻 957 0

什么是片狀三端子電容？怎樣去安裝它呢

因?yàn)榧纳姼械拇嬖?，?dǎo)致高頻信號(hào)的IL（插入損耗）較大，嚴(yán)重影響到電容的高頻濾波效果，因此發(fā)展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感更小...

2022-08-17 標(biāo)簽：電容器寄生電感高頻濾波 5006 0