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標(biāo)簽 > 寬帶隙器件

寬帶隙器件

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寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),它可以提供效率和功率密度的改進(jìn),這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影響。

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寬帶隙器件簡(jiǎn)介

  寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),它可以提供效率和功率密度的改進(jìn),這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影響。

  WBG具有顯著優(yōu)勢(shì),例如更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀以了解有關(guān)基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用的更多信息。

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寬帶隙器件知識(shí)

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寬帶隙器件技術(shù)

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?

集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品,是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...

2023-02-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2067 0

寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體

2022-12-22 標(biāo)簽:光電子寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 1038 0

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展

功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的終極目標(biāo)是以最高效率將來(lái)自配電系統(tǒng)(公用事業(yè)AC或DC匯流排)電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4304 0

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寬帶隙器件資料下載

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寬帶隙器件資訊

認(rèn)證效率高達(dá)33.10%,基于寬帶隙表面重構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池

認(rèn)證效率高達(dá)33.10%,基于寬帶隙表面重構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池

寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)能電池對(duì)鈣鈦礦/硅疊層的發(fā)展至關(guān)重要,但寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)能電池表面缺陷多,會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的界面載流子損失和相分離,影響電池性能。研究通過(guò)納米...

2024-12-18 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池鈣鈦礦寬帶隙器件 212 0

Nexperia與科世達(dá)達(dá)成合作 共同推進(jìn)汽車應(yīng)用寬帶隙器件的生產(chǎn)

Nexperia與科世達(dá)達(dá)成合作 共同推進(jìn)汽車應(yīng)用寬帶隙器件的生產(chǎn)

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Nexperia宣布與知名汽車供應(yīng)商科世達(dá)(KOSTAL)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作將專注于開發(fā)和生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴(yán)格規(guī)范...

2024-11-06 標(biāo)簽:Nexperia科世達(dá)寬帶隙器件 335 0

GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么?ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件

如今,開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升,如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能,同時(shí)又不斷降低成本和縮減尺寸呢? 我們發(fā)現(xiàn),氮化鎵...

2023-08-03 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 387 0

理想封裝設(shè)計(jì)的碳化硅陶瓷基板及寬帶隙器件

理想封裝設(shè)計(jì)的碳化硅陶瓷基板及寬帶隙器件

? ? ? 針對(duì)要求最嚴(yán)苛的功率開關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢(shì),從而引入改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙類型,將顯...

2022-11-16 標(biāo)簽:封裝陶瓷基板寬帶隙器件 814 0

寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

 長(zhǎng)期以來(lái),硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始,由于摩爾定律的失敗,復(fù)合材料被開發(fā)出來(lái),特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體,因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..

2022-09-11 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 601 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要一些額外的專業(yè)知識(shí)

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要一些額外的專業(yè)知識(shí)

電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西,但是從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí),就需要多注意這些問(wèn)題了

2022-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 863 0

寬帶隙半導(dǎo)體:到電動(dòng)汽車及以后

寬帶隙半導(dǎo)體:到電動(dòng)汽車及以后

在電力電子領(lǐng)域,硅在過(guò)去的 40 年中已成為主流技術(shù);今天,硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍,以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無(wú)處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 898 0

寬帶隙技術(shù)對(duì)電源轉(zhuǎn)換器的好處

寬帶隙技術(shù)對(duì)電源轉(zhuǎn)換器的好處

眾所周知,與硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更高的工...

2022-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換器寬帶隙器件 1998 0

寬帶隙器件的應(yīng)用有哪些

寬帶隙器件的應(yīng)用有哪些

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),它可以提供效率和功率密度的改進(jìn),這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影...

2022-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2181 0

寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價(jià)值

寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價(jià)值

寬帶隙(WBG)開關(guān)器件由于其高速度和高效率而得到應(yīng)用,這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。

2020-04-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換寬帶隙器件 724 0

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寬帶隙器件數(shù)據(jù)手冊(cè)

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