失效分析

FIB技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用

半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新與挑戰(zhàn)在半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)的快速進(jìn)步帶來(lái)了集成電路尺寸的縮小和功能的增強(qiáng)。但同時(shí)，這也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，尤其是在故障定位和分析領(lǐng)域。為了...

2024-12-26 標(biāo)簽：芯片失效分析fib 176 0

EBSD失效分析策略

材料失效分析在材料科學(xué)和工程實(shí)踐中，失效分析扮演著至關(guān)重要的角色，它致力于探究產(chǎn)品或構(gòu)件在實(shí)際使用過(guò)程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象。這些現(xiàn)象可能表現(xiàn)為由多種因素引起...

2024-12-24 標(biāo)簽：材料失效分析測(cè)試設(shè)備 113 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT失效分析

對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)，無(wú)法簡(jiǎn)單直觀地判斷實(shí)時(shí)的損耗程度，因此需要提前預(yù)測(cè)使用壽命，了解失效原因并加以預(yù)防。

2024-12-23 標(biāo)簽：IGBT失效分析回流焊 208 0

從外觀到參數(shù),芯片失效的檢測(cè)方法

眾所周知，芯片作為智能設(shè)備的“心臟”，承載核心功能；其設(shè)計(jì)復(fù)雜度與集成度提升，加之應(yīng)用環(huán)境多樣化，致失效問(wèn)題凸顯，或?qū)⒊蔀閼?yīng)用工程師設(shè)計(jì)周期內(nèi)的重大挑戰(zhàn)...

2024-12-09 標(biāo)簽：芯片SEM失效分析 840 0

材料失效分析方法匯總

材料故障診斷學(xué)：失效分析技術(shù)失效分析技術(shù)，作為材料科學(xué)領(lǐng)域內(nèi)的關(guān)鍵分支，致力于運(yùn)用科學(xué)方法論來(lái)識(shí)別、分析并解決材料與產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的故障問(wèn)題。...

2024-12-03 標(biāo)簽：電子元器件材料失效分析 273 0

IV測(cè)試助力解芯片失效原因

在芯片這個(gè)微觀而又復(fù)雜的世界里，失效分析如同一場(chǎng)解謎之旅，旨在揭開芯片出現(xiàn)故障的神秘面紗。而 IV（電流-電壓）測(cè)試作為一種重要的分析手段，在芯片失效分...

2024-11-21 標(biāo)簽：芯片測(cè)試失效分析 298 0

塑封器件絕緣失效分析

塑封器件絕緣失效機(jī)理探究與改進(jìn)策略塑封器件因其緊湊、輕便、經(jīng)濟(jì)及卓越的電學(xué)特性，在電子元件封裝行業(yè)中占據(jù)著重要地位。但隨著其在更嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求增加...

2024-11-14 標(biāo)簽：電子元件失效分析塑封器件 218 0

預(yù)鍍框架銅線鍵合的腐蝕失效分析與可靠性

集成電路預(yù)鍍框架銅線鍵合封裝在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)第二鍵合點(diǎn)失效，通過(guò)激光開封和橫截面分析，鍵合失效與電化學(xué)腐蝕機(jī)理密切相關(guān)。通過(guò) 2 000 h 高溫存儲(chǔ)試...

2024-11-01 標(biāo)簽：封裝可靠性分析失效分析 1326 0

微電子器件可靠性失效分析程序

微電子器件可靠性失效分析程序

2024-11-01 標(biāo)簽：封裝可靠性分析失效分析 1323 0

廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析

失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效，分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...

2024-09-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 928 0

tvs二極管怎么判斷好壞 TVS二極管失效分析

TVS（Transient Voltage Suppressor）二極管，即瞬態(tài)抑制二極管，是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)過(guò)電壓（如雷擊、靜電放電等）損...

2024-10-06 標(biāo)簽：電子設(shè)備TVS二極管過(guò)電壓 1375 0

季豐對(duì)存儲(chǔ)器芯片的失效分析方法步驟

由于存儲(chǔ)器中包括結(jié)構(gòu)重復(fù)的存儲(chǔ)單元，當(dāng)其中發(fā)生失效點(diǎn)時(shí), 如何定位失效點(diǎn)成為存儲(chǔ)器失效分析中的最為重要的一步。存儲(chǔ)器芯片的集成度高，字線(WL)和位線(...

2024-08-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器失效分析季豐電子 596 0

淺談半導(dǎo)體芯片失效分析Analysis of Semiconductor Chip Failure

共讀好書 失效專業(yè)能力分類 元器件5A試驗(yàn)介紹（中英文) ◆PFA （Physical Feature Analysis） 物理特征分析 ◆DPA （D...

2024-07-17 標(biāo)簽：失效分析半導(dǎo)體芯片 700 0

技術(shù)分享 | ISO 26262中的安全分析之FMEA

本期內(nèi)容以系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)為例，講解如何在ISO26262產(chǎn)品開發(fā)過(guò)程中實(shí)施安全分析，半導(dǎo)體層面的芯片設(shè)計(jì)也可以參考本文相關(guān)內(nèi)容執(zhí)行安全分析。安全分析方法I...

2024-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體ISOFMEA 1584 0

電子元器件失效分析技術(shù)

電測(cè)在失效分析中的作用 重現(xiàn)失效現(xiàn)象，確定失效模式，縮小故障隔離區(qū)，確定失效定位的激勵(lì)條件，為進(jìn)行信號(hào)尋跡法失效定位創(chuàng)造條件

2024-04-12 標(biāo)簽：電子元器件MOS失效分析 607 0

SMT失效分析—QFN虛焊異常分析改善報(bào)告

1月1日在客戶端123ABC組裝功能測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)16pcs高壓異常，分析原因是BOT面零件U12位置空焊不良導(dǎo)致。

2024-01-17 標(biāo)簽：smtqfnPCB焊盤 5362 0

關(guān)于電子元器件空間輻射單粒子效應(yīng)的考核

宇宙遍布著各種高能量的輻射粒子，這些粒子會(huì)對(duì)元器件帶來(lái)影響，如何進(jìn)行抗輻射設(shè)計(jì)成為了工程師針對(duì)邏輯類數(shù)字電路、存儲(chǔ)器以及某些功率器件的一個(gè)必要考量。

2024-01-11 標(biāo)簽：電子元器件半導(dǎo)體失效分析 2154 0

詳解陶瓷電容的失效分析

多層片狀陶介電容器由陶瓷介質(zhì)、端電極、金屬電極三種材料構(gòu)成，失效形式為金屬電極和陶介之間層錯(cuò)，電氣表現(xiàn)為受外力（如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一下）和溫度沖...

2024-01-10 標(biāo)簽：電容器陶瓷電容失效分析 1615 0

失效分析的原因、機(jī)理及其過(guò)程介紹

以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應(yīng)用，但廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景也意味著可能會(huì)出現(xiàn)各種各樣令人頭疼的失效情況，進(jìn)而導(dǎo)致機(jī)械設(shè)備發(fā)生故障！

2023-11-24 標(biāo)簽：紅外光譜儀SAM失效分析 3929 0

PCB上的光電元器件為什么總失效？

PCB上的光電元器件為什么總失效？

2023-11-23 標(biāo)簽：PCB元器件失效分析 665 0