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標簽 > 半浮柵晶體管
半浮柵晶體管(SFGT) [1] 是介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的晶體管。
作為一種新型的基礎(chǔ)器件,半浮柵晶體管(SFGT)可應用于不同的集成電路。首先,它可以取代一部分的SRAM,即靜態(tài)隨機存儲器。SRAM是一種具有高速靜態(tài)存取功能的存儲器,多應用于中央處理器(CPU)內(nèi)的高速緩存,對處理器性能起到?jīng)Q定性的作用。傳統(tǒng)SRAM需用6個MOSFET晶體管才能構(gòu)成一個存儲單元,集成度較低,占用面積大。半浮柵晶體管則可以單個晶體管構(gòu)成一個存儲單元,存儲速度接近由6個晶體管構(gòu)成的SRAM存儲單元。
8月9日出版的《科學》(Science)雜志刊發(fā)了復旦大學微電子學院張衛(wèi)課題組最新科研論文,該課題組提出并實現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件:半浮柵晶體管(...
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2013-08-29 標簽:ARM處理器elecfans視界半浮柵晶體管 3388 0
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