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      標(biāo)簽　>　半浮柵晶體管

      半浮柵晶體管

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      　　半浮柵晶體管（SFGT） ［1］ 是介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的晶體管。

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      半浮柵晶體管簡介

      　　作為一種新型的基礎(chǔ)器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應(yīng)用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM是一種具有高速靜態(tài)存取功能的存儲(chǔ)器，多應(yīng)用于中央處理器（CPU）內(nèi)的高速緩存，對處理器性能起到?jīng)Q定性的作用。傳統(tǒng)SRAM需用6個(gè)MOSFET晶體管才能構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元，集成度較低，占用面積大。半浮柵晶體管則可以單個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)速度接近由6個(gè)晶體管構(gòu)成的SRAM存儲(chǔ)單元。

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      2013-08-22 標(biāo)簽：集成電路半浮柵晶體管 3897 1

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