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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:1674 瀏覽:90436 帖子:49

功率器件技術(shù)

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繼上一篇超級結(jié)MOSFET技術(shù)簡介后,我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。

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隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個周期內(nèi),將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...

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DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽...

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2024-12-23 標(biāo)簽:功率器件函數(shù)熱設(shè)計 148 0

微型逆變器小華MCU與上海貝嶺功率器件方案

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適用微型逆變器500-1000W控制板應(yīng)用方案,包含MCU設(shè)計參考例程,上海貝嶺功率mos,igbt,ldo,運放,比較器,存儲器等在逆變器產(chǎn)品應(yīng)用的方案。

2024-12-22 標(biāo)簽:mcu功率器件微型逆變器 78 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

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各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 793 0

大為錫膏 | 倒裝固晶錫膏的區(qū)別

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2024-12-18 標(biāo)簽:led功率器件錫膏 105 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

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2024-12-11 標(biāo)簽:二極管功率器件浪涌電流 114 0

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隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...

2024-12-07 標(biāo)簽:封裝功率器件半導(dǎo)體材料 341 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

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SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽:晶體管功率器件SiC 293 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率...

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功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應(yīng)用

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2024-11-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 232 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測量

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功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...

2024-11-26 標(biāo)簽:功率器件測量熱設(shè)計 816 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...

2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 255 0

基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

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近日,在西安·曲江國際會議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十七屆學(xué)術(shù)年會及展覽會(CPEEC & CPSSC 20...

2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 260 0

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點

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GaN功率器件的應(yīng)用在消費類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...

2024-11-15 標(biāo)簽:安森美功率器件GaN 208 0

深度了解SiC材料的物理特性

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與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...

2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率器件 670 0

SiC外延生長技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項

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SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積(CVD),本文簡...

2024-11-14 標(biāo)簽:晶圓功率器件SiC 389 0

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    OMAPL138
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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