引言
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下可靠服役的需求。納米銅燒結(jié)連接技術(shù)因其低溫連接、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,以及相對(duì)較低的成本,在功率器件封裝研究領(lǐng)域備受關(guān)注。本文將綜述納米銅燒結(jié)連接技術(shù)的研究進(jìn)展,從納米銅焊膏的制備、影響燒結(jié)連接接頭性能的因素以及接頭的可靠性三個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)探討,旨在促進(jìn)低成本的納米銅燒結(jié)連接技術(shù)在高性能、高可靠功率器件封裝中的應(yīng)用。
一、納米銅顆粒及焊膏制備
1.1納米銅顆粒制備
納米銅顆粒的制備是實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)的關(guān)鍵之一。常用的制備方法可分為化學(xué)方法、物理方法和生物方法?;瘜W(xué)方法如溶膠-凝膠法、水熱法、化學(xué)還原法等,具有操作簡單、成本低、產(chǎn)量大等優(yōu)點(diǎn),但可能引入雜質(zhì)。物理方法如機(jī)械球磨法、濺射法、激光蒸發(fā)法等,能獲得高純度的納米銅顆粒,但設(shè)備成本高、工藝復(fù)雜。生物方法則利用微生物或植物提取物作為還原劑,具有環(huán)保、可持續(xù)等優(yōu)點(diǎn),但尚處于研究階段。
1.2納米銅顆粒氧化行為及影響
納米銅顆粒由于表面積大,極易與空氣中的氧氣發(fā)生反應(yīng),形成氧化銅層。氧化銅層的存在不僅會(huì)影響納米銅顆粒的燒結(jié)性能,還會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的下降。因此,如何防止納米銅顆粒的氧化是制備高性能納米銅焊膏的關(guān)鍵之一。
1.3納米銅焊膏的防氧化措施
為了防止納米銅顆粒的氧化,研究人員采取了多種措施。一種常見的方法是在納米銅顆粒表面包覆一層抗氧化物質(zhì),如碳層、硅層等。另一種方法是在納米銅焊膏中加入抗氧化劑,如有機(jī)酸、胺類等。此外,通過優(yōu)化制備工藝,如真空干燥、惰性氣體保護(hù)等,也能有效減少納米銅顆粒的氧化。
1.4納米銅焊膏的自還原特性
部分研究表明,納米銅焊膏在高溫?zé)Y(jié)過程中具有一定的自還原特性。即使在制備過程中納米銅顆粒表面形成了一定厚度的氧化銅層,在高溫下氧化銅也能與焊膏中的還原劑發(fā)生反應(yīng),重新生成金屬銅。這種自還原特性有助于提高納米銅焊膏的燒結(jié)性能和可靠性。
二、納米銅燒結(jié)連接接頭性能影響因素
2.1燒結(jié)連接工藝參數(shù)
燒結(jié)連接工藝參數(shù)對(duì)納米銅燒結(jié)連接接頭的性能有重要影響。主要包括燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間、升溫速率和燒結(jié)壓力等。研究表明,適當(dāng)?shù)臒Y(jié)溫度和保溫時(shí)間可以促進(jìn)納米銅顆粒的擴(kuò)散和結(jié)合,提高接頭的強(qiáng)度和可靠性。升溫速率過快可能導(dǎo)致燒結(jié)不均勻,影響接頭性能。而燒結(jié)壓力則有助于排除燒結(jié)過程中的氣孔和缺陷,提高接頭的致密度和導(dǎo)電性能。
2.2燒結(jié)連接氣氛
燒結(jié)連接氣氛也是影響納米銅燒結(jié)連接接頭性能的重要因素。在惰性氣體(如氬氣、氮?dú)猓┍Wo(hù)下進(jìn)行燒結(jié),可以有效防止納米銅顆粒的氧化,提高接頭的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能。此外,部分研究表明,在氫氣或含有還原性氣體的混合氣氛下進(jìn)行燒結(jié),可以進(jìn)一步促進(jìn)納米銅顆粒的自還原過程,提高接頭的強(qiáng)度和可靠性。
2.3表面金屬化層
在功率器件封裝中,芯片和基板表面往往需要進(jìn)行金屬化處理,以提高燒結(jié)連接接頭的性能。常用的金屬化層材料包括鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)等。金屬化層不僅可以提供良好的潤濕性和附著力,還能有效防止基材與焊膏之間的化學(xué)反應(yīng),提高接頭的可靠性和穩(wěn)定性。
三、納米銅燒結(jié)連接接頭可靠性
3.1熱老化試驗(yàn)
熱老化試驗(yàn)是評(píng)估納米銅燒結(jié)連接接頭可靠性的重要手段之一。通過在不同溫度下對(duì)接頭進(jìn)行長時(shí)間加熱,觀察接頭的形貌變化、電阻變化等,可以評(píng)估接頭的熱穩(wěn)定性和可靠性。研究表明,經(jīng)過適當(dāng)熱老化處理的納米銅燒結(jié)連接接頭,其強(qiáng)度和導(dǎo)電性能均能得到顯著提高。
3.2溫度循環(huán)試驗(yàn)
溫度循環(huán)試驗(yàn)是模擬功率器件在實(shí)際工作過程中溫度變化的重要手段。通過在不同溫度下進(jìn)行循環(huán)加熱和冷卻,觀察接頭的形貌變化、電阻變化等,可以評(píng)估接頭的熱循環(huán)穩(wěn)定性和可靠性。研究表明,納米銅燒結(jié)連接接頭在溫度循環(huán)試驗(yàn)中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性。
3.3熱沖擊試驗(yàn)
熱沖擊試驗(yàn)是評(píng)估納米銅燒結(jié)連接接頭抗熱沖擊性能的重要手段。通過在短時(shí)間內(nèi)對(duì)接頭進(jìn)行急劇加熱和冷卻,觀察接頭的形貌變化、電阻變化等,可以評(píng)估接頭的熱沖擊穩(wěn)定性和可靠性。研究表明,納米銅燒結(jié)連接接頭在熱沖擊試驗(yàn)中表現(xiàn)出較高的抗熱沖擊性能。
3.4功率循環(huán)試驗(yàn)
功率循環(huán)試驗(yàn)是模擬功率器件在實(shí)際工作過程中功率變化的重要手段。通過在不同功率下進(jìn)行循環(huán)加熱和冷卻,觀察接頭的形貌變化、電阻變化等,可以評(píng)估接頭的功率循環(huán)穩(wěn)定性和可靠性。研究表明,納米銅燒結(jié)連接接頭在功率循環(huán)試驗(yàn)中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性。
四、總結(jié)與展望
納米銅燒結(jié)連接技術(shù)作為一種新型的功率器件封裝技術(shù),具有低溫連接、高溫服役、優(yōu)異的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能以及相對(duì)較低的成本等優(yōu)勢(shì)。近年來,隨著第三代半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展,納米銅燒結(jié)連接技術(shù)在功率器件封裝領(lǐng)域的應(yīng)用前景越來越廣闊。然而,納米銅顆粒的氧化行為、燒結(jié)連接工藝參數(shù)、燒結(jié)連接氣氛以及表面金屬化層等因素對(duì)納米銅燒結(jié)連接接頭性能的影響仍需進(jìn)一步研究。未來,隨著納米技術(shù)的不斷進(jìn)步和制備工藝的優(yōu)化,納米銅燒結(jié)連接技術(shù)有望得到進(jìn)一步完善和提升,為功率器件封裝領(lǐng)域帶來更多的創(chuàng)新和突破。
參考文獻(xiàn)
由于本文為綜述性質(zhì),未直接引用具體的研究文獻(xiàn)。讀者可根據(jù)本文所述的研究方向和進(jìn)展,查閱相關(guān)領(lǐng)域的最新研究成果和文獻(xiàn),以獲取更詳細(xì)和深入的信息。
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