資料介紹
介紹了一種采用亞閾值mos晶體管和單bjt的低溫系數(shù)(tc)和大功率電源紋波抑制(psrr)cmos子帶隙基準電壓源(sub-bgr)電路。所提出的子bgr包括一種基于bjt的標度發(fā)射極基極電壓的新型絕對溫度互補(ctat)電壓發(fā)生器和一種基于子vth mosfet的vgs疊加的改進的絕對溫度比例(ptat)電壓發(fā)生器。由于ctat電路實現(xiàn)負tc的減小絕對值,ptat電路在不消耗較大芯片面積的情況下實現(xiàn)了降低功耗。該子bgr電路采用標準的0.18μm cmos工藝實現(xiàn)。測試結果表明,在功耗僅為85nw的情況下,子bgr電路的供電電壓可降至0.9v。在整個頻率范圍內(nèi),平均tc為33.7ppm/℃,psrr優(yōu)于-40db。
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