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隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng):建立了中子單粒子翻轉(zhuǎn)可視化分析方法，對(duì)不同特征尺寸（０．１３～１．５０μｍ）ＣＭＯＳ工藝商用隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器（ＳＲＡＭ）器件開(kāi)展了反應(yīng)堆中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究，獲得了ＳＲＡＭ 器件的裂變譜中子單粒子翻轉(zhuǎn)截面隨特征尺寸變化的變化趨勢(shì)。研究結(jié)果表明：ＳＲＡＭ 器件的特征尺寸越小，其對(duì)低能中子導(dǎo)致的單粒子翻轉(zhuǎn)的敏感性越高。
關(guān)鍵詞： 隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器； 低能中子； 單粒子效應(yīng)； 反應(yīng)堆； 特征尺寸； 臨界電荷
關(guān)鍵詞： 隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器； 低能中子； 單粒子效應(yīng)； 反應(yīng)堆； 特征尺寸； 臨界電荷
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