資料介紹
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體,已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的 不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強(qiáng)可控性而備受關(guān)注。本研究采用電感耦合等離子體刻 蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕,刻蝕氣體為氯氣,添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離 子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性能的影響,包括刻蝕速率、選擇性、刻蝕表面形 貌和側(cè)壁。使用深度輪廓儀測量蝕刻深度,并用于計算蝕刻速率。用掃描電子顯微鏡觀察蝕刻剖面。
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