資料介紹
FET的特性與應(yīng)用電路
電界效應(yīng)半導(dǎo)體(FET: Field Effect Transistor,以下簡(jiǎn)稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史,兩者最大差
異是FET 的消費(fèi)電力比一般電晶體更低,目前FET 大多應(yīng)用在微處理器數(shù)位IC/LSI、無(wú)線系統(tǒng)的Front-end、
Switching 電源控制器,以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器等領(lǐng)域。接著本文要利用模擬分析深入探討FET 的動(dòng)作特性與
應(yīng)用電路
FET的動(dòng)作原理
FET 與電晶體一樣都是屬三端子半導(dǎo)體元件,雖然它的外形隨著用途有各種形狀,不過(guò)動(dòng)作原理卻完全相
同。如圖1 所示FET 依照內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以分成2 大類,分別是Gate Channel 之間有二極體的FET,與Gate
Channel 之間呈絕緣狀的FET。
圖2 是FET 電路圖常用符號(hào),由圖可知常用符號(hào)依照內(nèi)部結(jié)構(gòu)也分成2 大類,分別是N 型 Channel 與P
型 Channel;三個(gè)端子的名稱分別Gate、Source、Drain,雖然FET 的動(dòng)作原理與電晶體不同,不過(guò)功能上
Gate 相當(dāng)於電晶體的Base,Source 相當(dāng)於電晶體的Emitter,Drain 相當(dāng)於電晶體的Collector(圖3)。
電界效應(yīng)半導(dǎo)體(FET: Field Effect Transistor,以下簡(jiǎn)稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史,兩者最大差
異是FET 的消費(fèi)電力比一般電晶體更低,目前FET 大多應(yīng)用在微處理器數(shù)位IC/LSI、無(wú)線系統(tǒng)的Front-end、
Switching 電源控制器,以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器等領(lǐng)域。接著本文要利用模擬分析深入探討FET 的動(dòng)作特性與
應(yīng)用電路
FET的動(dòng)作原理
FET 與電晶體一樣都是屬三端子半導(dǎo)體元件,雖然它的外形隨著用途有各種形狀,不過(guò)動(dòng)作原理卻完全相
同。如圖1 所示FET 依照內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以分成2 大類,分別是Gate Channel 之間有二極體的FET,與Gate
Channel 之間呈絕緣狀的FET。
圖2 是FET 電路圖常用符號(hào),由圖可知常用符號(hào)依照內(nèi)部結(jié)構(gòu)也分成2 大類,分別是N 型 Channel 與P
型 Channel;三個(gè)端子的名稱分別Gate、Source、Drain,雖然FET 的動(dòng)作原理與電晶體不同,不過(guò)功能上
Gate 相當(dāng)於電晶體的Base,Source 相當(dāng)於電晶體的Emitter,Drain 相當(dāng)於電晶體的Collector(圖3)。
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