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特性
? 單電壓讀寫操作
– 2.7-3.6V
? 串行接口架構(gòu)
– 兼容 SPI：模式 0 和模式 3
? 高速時鐘頻率
– 高達(dá) 80 MHz
? 超高可靠性
– 可擦寫次數(shù)：100，000 次 – 數(shù)據(jù)保存時間大于 100 年
? 低功耗：
– 讀操作工作電流：10 mA （典型值）
– 待機(jī)電流：5 μA （典型值）
? 靈活的擦除功能
– 均一 4 KB 扇區(qū)
– 均一 32 KB 覆蓋塊
– 均一 64 KB 覆蓋塊
? 快速擦除和字節(jié)編程：
– 全片擦除時間：35 ms （典型值） – 扇區(qū) / 塊擦除時間：18 ms （典型值） – 字節(jié)編程時間：7 μs （典型值）
? 自動地址遞增 （Auto Address Increment， AAI）
編程
– 與字節(jié)編程操作相比，可減少總芯片編程時間
? 寫操作結(jié)束檢測
– 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的 BUSY 位
– AAI 模式下 SO 引腳上的忙狀態(tài)讀出
? 保持引腳 （HOLD#）
– 在不取消選擇器件的情況下暫停存儲器的串行序列
? 寫保護(hù) （WP#）
– 使能 / 禁止?fàn)顟B(tài)寄存器的鎖定功能
? 軟件寫保護(hù)
– 通過狀態(tài)寄存器中的塊保護(hù)位實現(xiàn)寫保護(hù)
? 溫度范圍
– 商業(yè)級：0°C 至 +70°C
– 工業(yè)級：-40°C 至 +85°C
? 可用封裝
– 8 引腳 SOIC （150 mil）
– 8 觸點(diǎn) WSON （6 mm x 5 mm）
? 所有無鉛器件均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 基于SST25WF512/SST25WF010/SST25WF020/SST25WF040下的串行閃存
- 基于SST25VF032B下的32 Mb SPI 串行閃存
- 基于SST25VF064C下的64 Mb SPI 串行雙 I/O 閃存
- 64Mb（x16）高級多用途閃存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B
- 從SST25VF016B/032B移植到SST26VF016B和SST26VF032B/032BA.pdf
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