SST26VF064B/SST26VF064BA原文資料數(shù)據(jù)手冊PDF免費下載(串行閃存)

　　連續(xù)四I/O?（SQI?）閃存設(shè)備的家庭特征的六線，4位I/O接口，允許在低功耗、低引腳數(shù)封裝的高性能運算。sst26vf064b / 064ba還支持完整的命令集傳統(tǒng)的串行外設(shè)接口（SPI）協(xié)議的兼容性。系統(tǒng)設(shè)計使用SQI閃存設(shè)備占據(jù)板空間較小，最終降低系統(tǒng)成本。26系列的所有成員，SQI家族制造專有的，高性能的CMOS的SuperFlash?技術(shù)。細胞分裂門的設(shè)計和thickoxide隧道噴油器達到更好的可靠性和可制造性的替代方法相比。sst26vf064b / 064ba顯著提高性能和可靠性，同時降低功耗。這些設(shè)備的寫（編程或擦除）一個2.3-3.6v單電源供電，消耗的總能量是一個電壓、電流的功能，以及申請時間。因為對于任何給定的電壓范圍，使用更少的SuperFlash技術(shù)電流程序并擦除時間短，消耗的總能量在任何擦除或編程操作比其他閃存技術(shù)。sst26vf064b / 064ba是提供8接觸wdfn（6 mm x 5 mm或6mm×8mm），8引腳soij（5.28毫米），16引腳SOIC封裝（7.50毫米），和24球TBGA。見引腳分配的圖2-2。有兩種配置可供訂購。sst26vf064b默認上電時有WP #保持#引腳啟用，與SiO2和SiO3引腳禁用，在權(quán)力的WP #保持#引腳禁用啟動SPI協(xié)議operations.sst26vf064ba默認，和SiO2和SiO3引腳啟用，開始四I/O操作?？吹健癐 / O配置（IOC）12頁上的“更多信息關(guān)于配置WP # /保持#和SiO3 / SiO4引腳