基于WinCE應(yīng)用程序直接讀/寫(xiě)/擦除flash設(shè)備的方法

在網(wǎng)上的很多論壇中都看到有人提問(wèn)：應(yīng)用程序如何直接讀寫(xiě)Flash的扇區(qū)，或者是類似的問(wèn)題?？傊?，就是希望應(yīng)用程序能夠直接訪問(wèn)Flash設(shè)備，直接讀寫(xiě)扇區(qū)的數(shù)據(jù)，或者作其他的操作。這幾天沒(méi)事，就嘗試著做了一下，把我的方法介紹給大家。
　　先做個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。WinCE支持Flash設(shè)備，一般指Nandflash或者是NORFlash，采用的架構(gòu)一般是FAL+FMD架構(gòu)，我們實(shí)現(xiàn)FMD相關(guān)的接口函數(shù)，F(xiàn)lash的驅(qū)動(dòng)就算完成了。當(dāng)WinCE啟動(dòng)以后，我們能夠看到Flash設(shè)備的磁盤(pán)。我們可以操作磁盤(pán)上面的文件，但是不能直接操作flash設(shè)備，對(duì)Flash設(shè)備的操作無(wú)非就是：讀，寫(xiě)，擦除，讀ID。
　　現(xiàn)在開(kāi)始介紹實(shí)現(xiàn)的方法。我們?nèi)绻朐趹?yīng)用程序中直接調(diào)用FMD中的FMD_ReadSector（。.），F(xiàn)MD_WriteSector（。.），F(xiàn)MD_EraseBlock（。.）是不太現(xiàn)實(shí)的。這里再補(bǔ)充一下，這三個(gè)函數(shù)分別是Flash的讀扇區(qū)，寫(xiě)扇區(qū)，擦除塊的函數(shù)。好像有點(diǎn)羅嗦了。但是我們可以在應(yīng)用程序中調(diào)用到FMD_OEMIoControl（。.）函數(shù)，這個(gè)是可以做到的。所以我們需要改一下Flash設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序，也就是改Flash設(shè)備驅(qū)動(dòng)中的FMD_OEMIoControl（。.）這個(gè)函數(shù)。我的改動(dòng)如下：
　　BOOL FMD_OEMIoControl（DWORD dwIoControlCode， PBYTE pInBuf，DWORDnInBufSize， PBYTE pOutBuf， DWORD nOutBufSize，PDWORDpBytesReturned）
　　PFMDInterface pInterface = （PFMDInterface）pOutBuf;
　　RETAILMSG（1， （TEXT（“FMD_OEMIoControl： control code is0x%xrn”），dwIoControlCode））;
　　switch（dwIoControlCode）
　　case IOCTL_FMD_GET_INTERFACE：
　　if （！pOutBuf nOutBufSize 《 sizeof（FMDInterface））
　　DEBUGMSG（1， （TEXT（“FMD_OEMIoControl： IOCTL_FMD_GET_INTERFACEbadmeter（s）.rn”）））;
　　return（FALSE）;
　　pInterface-》cbSize = sizeof（FMDInterface）;
　　pInterface-》pInit = FMD_Init;
　　pInterface-》pDeInit = FMD_Deinit;
　　pInterface-》pGetInfo = FMD_GetInfo;
　　pInterface-》pGetInfoEx = NULL; //FMD_GetInfoEx;
　　pInterface-》pGetBlockStatus = FMD_GetBlockStatus;
　　pInterface-》pSetBlockStatus = FMD_SetBlockStatus;
　　pInterface-》pReadSector = FMD_ReadSector;
　　pInterface-》pWriteSector = FMD_WriteSector;
　　pInterface-》pEraseBlock = FMD_EraseBlock;
　　pInterface-》pPowerUp = FMD_PowerUp;
　　pInterface-》pPowerDown = FMD_PowerDown;
　　pInterface-》pGetPhysSectorAddr = NULL;
　　pInterface-》pOEMIoControl = FMD_OEMIoControl;
　　break;
　　case 0xff123456：
　　FMD_ReadSector（。.）;//調(diào)用讀Sector函數(shù)
　　break;
　　case 0xff654321：
　　FMD_WriteSector（。.）;//調(diào)用寫(xiě)Sector函數(shù)
　　break;
　　case 0xff123457：
　　FMD_EraseBlock（。.）;//調(diào)用擦除Block函數(shù)
　　break;
　　default：
　　DEBUGMSG（1， （TEXT（“FMD_OEMIoControl： unrecognizedIOCTL（0x%x）.rn”）， dwIoControlCode））;
　　return（FALSE）;
　　return（TRUE）;
　　在FMD_OEMIoControl（。.）函數(shù)里面增加了3個(gè)case，這3個(gè)case里面調(diào)用了讀/寫(xiě)/擦除函數(shù)。至于Case的值，我是隨便定義的。這樣Flash設(shè)備的驅(qū)動(dòng)部分就改完了。
　　在改完Flash驅(qū)動(dòng)以后，我下面會(huì)提供兩種方法，每一種方法都和Flash設(shè)備的注冊(cè)表配置有關(guān)：
　　1. 以Nandflash為例，當(dāng)然對(duì)于NORFlash來(lái)說(shuō)大同小異，注冊(cè)表配置如下：
　?。跦KEY_LOCAL_MACHINEDriversBuiltInNANDFlash］
　　“Dll”=“ep94xxnandflash.dll”
　　“Prefix”=“DSK”
　　“Order”=dword:4
　　;“Ioctl”=dword:4
　　“Profile”=“NSFlash”
　　“IClass”=“A4E7EDDA-E575-4252-9D6B-4195D48BB865”
　　; Override names in default profile
　　［HKEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlash］
　　“Name”=“Ep94xx NAND Flash”
　　“Folder”=“NANDFlash”
　　“PartitionDriver”=“MSPart.dll”
　　“AutoMount”=dword:1
　　“AutoPart”=dword:1
　　“AutoFormat”=dword:1
　?。跦KEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlashFATFS］
　　“EnableCache”=dword:1
　　“CacheSize”=dword:1000
　　“MountBootable”=dword:1
　　“Flags”=dword:00000024
　　“CheckForFormat”=dword:1