資料介紹
SSD1332 OLED 點亮細(xì)節(jié) LCM 產(chǎn)品設(shè)計課
一、OLED 的顯示理1
二、OLED 相關(guān)關(guān)鍵工藝2
三、OLED 的驅(qū)動技朮4
四、具體點亮模塊SSD1332、65K、OLED5
五、利用AT90S8515 測試板(新測試板外部可以擴展8Mbit)
點亮模塊15
一、 OLED 的顯示原理
OLED 組件系由n 型有機材料、p 型有機材料、陰極金屬及陽極金屬所構(gòu)成。電子(空
穴)由陰極(陽極)注入,經(jīng)過n 型(p 型)有機材料傳導(dǎo)至發(fā)光層(一般為n 型材料),經(jīng)由再結(jié)
合而放光。一般而言,OLED 組件制作的玻璃基板上先濺鍍ITO 作為陽極,再以真空熱蒸
鍍之方式,依序鍍上p 型和n 型有機材料,及低功函數(shù)之金屬陰極。由于有機材料易與水
氣或氧氣作用,產(chǎn)生暗點(Dark spot)而使組件不發(fā)亮。因此此組件于真空鍍膜完畢后,必須于無水氣及氧氣之環(huán)境下進行封裝工藝。在陰極金屬與陽極ITO 之間,目前廣為應(yīng)用的組件結(jié)構(gòu)一般而言可分為5 層。如圖一所示,從靠近ITO 側(cè)依序為:空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。OLED 組件系由兩層有機材料所構(gòu)成,分別為空穴傳輸層及電子傳輸層。其中空穴傳輸層為p 型之有機材料,其特性為具有較高之空穴遷移率,且其最高占據(jù)之分子軌域
(Highest occupied molecule orbital,HOMO)與ITO 較接近,可使空穴由ITO 注入有機層之能障降低。
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