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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>模擬數(shù)字>MOSFET datasheet參數(shù)特性

      MOSFET datasheet參數(shù)特性

      2011-03-15 | rar | 350 KB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      下文主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過此參數(shù)來理解設(shè)計時候的考量
      一、場效應(yīng)管的參數(shù)很多，一般 datasheet 都包含如下關(guān)鍵參數(shù)：
      1 極限參數(shù)：
      ID ：最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。
      場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
      IDM ：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
      PD ：最大耗散功率。是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使
      用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升
      而有所減額。
      VGS ：最大柵源電壓。
      Tj ：最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件設(shè)計的工作條件下須確應(yīng)
      避免超過這個溫度，并留有一定裕量。
      TSTG ：存儲溫度范圍。

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