作為上海雷卯電子的一名資深工程師,我經(jīng)常被問及MOSFET器件的參數(shù)計算問題。在本文中,我將分享關于MOSFET中幾個關鍵溫度參數(shù)的計算方法:TJ(結溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。
1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性
在電力電子應用中,溫度是影響MOSFET性能和壽命的關鍵因素。過高的溫度會導致器件性能下降,甚至損壞。因此,了解和計算這些溫度參數(shù)對于確保MOSFET器件的穩(wěn)定運行至關重要。
2.溫度參數(shù)定義TJ、TA、TC
l TJ(結溫)(Junction Temperature):是指 MOSFET 芯片內(nèi)部 PN 結的溫度。它是 MOSFET 工作時所能承受的最高溫度限制,超過這個溫度可能會導致器件性能下降、損壞甚至失效。
l TA(環(huán)境溫度)(Ambient Temperature)”,指 MOSFET 所處的周圍環(huán)境的溫度。
TC(外殼溫度)Case Temperature):MOSFET外殼表面的溫度。計算結溫需要用到熱阻參數(shù),下面介紹熱阻參數(shù)。
3.熱阻定義及計算
熱阻(Rθ)是衡量熱量傳遞難易程度的參數(shù)。
l 結到殼的熱阻(RθJC):表示從 MOSFET 的結(Junction)到殼(Case)的熱阻。
l 殼到環(huán)境的熱阻(RθCA):表示從 MOSFET 的殼到周圍環(huán)境的熱阻。
l 結到環(huán)境的熱阻(RθJA):RθJA = RθJC + RθCA。
MOSFET 通常會給出結到殼(RθJC)、結到環(huán)境(RθJA)等熱阻參數(shù)。熱阻可以通過數(shù)據(jù)手冊獲取。
4.TJ、TA、TC三個溫度參數(shù)關系
TJ(結溫)= TC(殼溫)+ 功率損耗×(結到殼的熱阻 RθJC);公式1
TC(殼溫)= TA(環(huán)境溫度)+ 功率損耗×(殼到環(huán)境的熱阻 RθCA);公式2
代入公式1,綜合可得:
TJ(結溫)= TA(環(huán)境溫度)+ 功率損耗×(結到殼的熱阻 RθJC+ 殼到環(huán)境的熱阻 RθCA)
其中功率損耗(Pd)主要由導通損耗和開關損耗組成。
導通損耗 = I2 × Rds(on) (其中 I 是導通電流,Rds(on) 是導通電阻)
開關損耗的計算較為復雜,通常需要考慮開關頻率、驅動電壓等因素,并且可能需要參考 MOSFET 的數(shù)據(jù)手冊提供的公式或曲線。
5.溫度計算實例
以下為您提供幾個 MOSFET 溫度參數(shù)計算的實際案例:
例一:
一個 MOSFET 的導通電阻 RDS(on) 為 0.1Ω,導通電流 Id 為 10A,結到環(huán)境的熱阻 RθJA 為 50°C/W,環(huán)境溫度 TA 為 25°C。首先計算功率損耗:P = Id2×RDS(on) = 102×0.1 = 10W
然后計算結溫:TJ = TA + P×RθJA = 25 + 10×50 = 525°C
例二:
另一個 MOSFET 的導通電阻 RDS(on) 為 0.05Ω,導通電流 Id 為 5A,結到殼的熱阻 RθJC 為 2°C/W,殼到環(huán)境的熱阻 RθCA 為 30°C/W,環(huán)境溫度 TA 為 20°C。
先計算導通損耗:P = Id2×RDS(on)= 52×0.05 = 1.25W
由于熱阻是串聯(lián)的,總熱阻 RθJA = RθJC + RθCA = 2 + 30 = 32°C/W結溫 TJ = TA + P×RθJA = 20 + 1.25×32 = 60°C
例三:
某 MOSFET 在高頻開關應用中,開關損耗為 5W,導通損耗為 3W,結到環(huán)境熱阻 RθJA 為 60°C/W,環(huán)境溫度 TA 為 30°C。
總功率損耗 P = 5 + 3 = 8W
結溫 TJ = TA + P×RθJA= 30 + 8×60 = 510°C
6.結論
通過上述計算,我們可以看到,MOSFET的結溫可能達到非常高的水平。一般來說,MOSFET 所能承受的最高結溫是有限制的,在設計和使用時,需要確保結溫不超過這個極限值,因此,設計合適的散熱方案和監(jiān)控溫度是至關重要的。作為上海雷卯電子的工程師,我們始終致力于提供高性能的MOSFET器件,并為客戶提供準確的參數(shù)計算指導,以確保器件的長期穩(wěn)定運行。
請注意,本文中的計算僅為示例,實際應用中應根據(jù)具體的器件參數(shù)和工作條件進行計算。上海雷卯電子提供的器件數(shù)據(jù)手冊和技術支持將幫助您更準確地進行溫度參數(shù)的計算和評估。
雷卯電子專業(yè)為客戶提供電磁兼容EMC的設計服務,提供實驗室做摸底免費測試,為客戶高效,控本完成設計,能快速通過EMC的項目,提高產(chǎn)品可靠性盡力。雷卯電子電磁兼容實驗室,提供免費測試,提供外圍靜電保護參考電路,可以提供國產(chǎn)化證明文件。如需樣品測試請聯(lián)系上海雷卯銷售人員或EMC小哥。
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