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于博士信號完整性分析入門教程PDF電子書免費(fèi)下載

2020-07-09 | pdf | 0.72 MB | 次下載 | 2積分

資料介紹

  什么是信號完整性? 如果你發(fā)現(xiàn),以前低速時(shí)代積累的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)現(xiàn)在似乎都不靈了,同樣的設(shè)計(jì),以前沒問題,可是現(xiàn)在卻無法工作,那么恭喜你,你碰到了硬件設(shè)計(jì)中最核心的問題:信號完整性。早一天遇到,對你來說是好事。在過去的低速時(shí)代,電平跳變時(shí)信號上升時(shí)間較長,通常幾個(gè) ns。器件間的互連線不至于影響電路的功能,沒必要關(guān)心信號完整性問題。但在今天的高速時(shí)代,隨著 IC 輸出開關(guān)速度的提高,很多都在皮秒級,不管信號周期如何,幾乎所有設(shè)計(jì)都遇到了信號完整性問題。另外,對低功耗追求使得內(nèi)核電壓越來越低, 1.2v 內(nèi)核電壓已經(jīng)很常見了。因此系統(tǒng)能容忍的噪聲余量越來越小,這也使得信號完整性問題更加突出。廣義上講,信號完整性是指在電路設(shè)計(jì)中互連線引起的所有問題,它主要研究互連線的電氣特性參數(shù)數(shù)字信號的電壓電流波形相互作用后,如何影響到產(chǎn)品性能的問題。主要表現(xiàn)在對時(shí)序的影響、信號振鈴、信號反射、近端串?dāng)_、遠(yuǎn)端串?dāng)_、開關(guān)噪聲、非單調(diào)性、地彈、電源反彈、衰減、容性負(fù)載、電磁輻射、電磁干擾等。信號完整性問題的根源在于信號上升時(shí)間的減小。即使布線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)沒有變化,如果采用了信號上升時(shí)間很小的 IC 芯片,現(xiàn)有設(shè)計(jì)也將處于臨界狀態(tài)或者停止工作。下面談?wù)剮追N常見的信號完整性問題。

  多年前,在我開始研究信號完整性問題時(shí)也曾經(jīng)有過這樣的疑問,隨著對信號完整性理解的深入,便沒有再仔細(xì)考慮。后來在產(chǎn)品開發(fā)過程中,朋友、同事經(jīng)常向我提出這一問題。有些公司制作復(fù)雜電路板時(shí),硬件總也調(diào)不通,于是找到我,當(dāng)我解決了問題,并告訴他們,原因就在于沒有處理好信號完整性設(shè)計(jì),負(fù)責(zé)開發(fā)的硬件工程師也會提出同樣的問題。他們通常的說法是:高速電路中會有問題,可是什么情況下必須進(jìn)行專門的信號完整性設(shè)計(jì)?不斷的有人問我,我不得不作更深入的思考。說實(shí)話,這個(gè)問題很難回答,或者說他們這種問法很難回答。他們的意思可以解釋為,速度高了就要考慮信號完整性,低速板不存在這個(gè)問題,那總要有個(gè)臨界頻率,這個(gè)頻率是多少?有人曾提出過這樣的論點(diǎn),當(dāng)外部總線頻率超過 80MHz 時(shí),就要進(jìn)行專門的分析設(shè)計(jì),低于這一頻率,不用考慮信號完整性問題。對這一論點(diǎn),我不敢茍同。仔細(xì)分析,他們這種問法的背后是對信號完整性的一種誤解。如果必須有一個(gè)答案的話,我想答案應(yīng)該是:只要信號畸變到了無法容忍的程度就要考慮信號完整性問題。呵呵,聽起來像是在胡說八道,不過這確實(shí)是能找到的最好的答案了。要想弄清這個(gè)問題,必須先了解信號完整性的實(shí)質(zhì)到底是什么。產(chǎn)生信號完整性的原因很多,頻率(值得推敲,暫且借用提問者的說法)只不過是其中的一個(gè)而已,怎么能單單用頻率來強(qiáng)行地劃分界線!順便說一句,很多人說頻率的影響,其實(shí)這個(gè)詞很值得推敲:頻率到底指的是哪個(gè)部分的頻率?電路板上有主時(shí)鐘頻率,芯片內(nèi)部主頻,外部總線帶寬,數(shù)字信號波形帶寬,電磁輻射頻率,影響信號完整性的頻率到底指的是哪一個(gè)?問題根源在于信號上升時(shí)間。如果你不是很理解,可以到于博士信號完整性研究網(wǎng)學(xué)習(xí)。信號完整性最原始的含義應(yīng)該是:信號是否能保持其應(yīng)該具有的波形。很多因素都會導(dǎo)致信號波形的畸變,如果畸變較小,對于電路板不會產(chǎn)生影響,可是如果畸變很大,就可能影響電路的功能。系統(tǒng)頻率(芯片內(nèi)部主頻以及外部頻率)、電磁干擾、電源波紋噪聲,數(shù)字器件開關(guān)噪聲、系統(tǒng)熱噪聲等都會對信號產(chǎn)生影響,頻率并不具有特殊的地位,你不能把所有的注意力都放在頻率這個(gè)因素上。

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