本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測Cl2、HBr、O2和SF6等離子體中的Cl
2022-05-05 14:26:56
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解決方案：a)樣品在等離子體反應器中處理，并在表面分析裝置(XPS、螺旋鉆等)的真空下轉(zhuǎn)移（為了避免空氣暴露中的表面修飾和污染）；b)實驗是在超高真空條件下的精密等離子體設(shè)備中進行的，它用離子、自由基和分子束模擬等離子體，但與表面分析設(shè)備兼容。這兩種方法都是有效的，并且各有優(yōu)缺點。
2022-05-19 14:28:151666 
等離子體工藝廣泛應用于半導體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626 熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度，是200~400℃或0.04?0.06eV。
2022-12-12 10:47:291171 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗規(guī)范，還有不知道在大陸有誰在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測試工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充滿氮氣的密封小盒內(nèi)以免在運輸過程中被氧化或沾污十、發(fā)往封測Die（裸片）經(jīng)過封測，就成了我們電子數(shù)碼產(chǎn)品上的芯片。晶圓的制造在半導體領(lǐng)域，科技含量相當?shù)母撸夹g(shù)工藝要求非常高。而我國半導體
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準備、長晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎(chǔ)知識，適合入門。
2014-06-11 19:26:35
的印刷焊膏。 印刷焊膏的優(yōu)點之一是設(shè)備投資少，這使很多晶圓凸起加工制造商都能進入該市場，為半導體廠商服務(wù)。隨著WLP逐漸為商業(yè)市場所接受，全新晶圓凸起專業(yè)加工服務(wù)需求持續(xù)迅速增長。 實用工藝開發(fā)
2011-12-01 14:33:02
在硅晶圓被蝕刻入的晶體管起不了任何作用，這一切是由于制造技術(shù)限制而造成的，任何一個存在上面問題的芯片將因不能正常工作而被報廢。上圖中，一塊硅晶圓中蝕刻了16個晶體管，但其中4個晶體管存在缺陷，因此我們
2011-12-01 16:16:40
效率高，它以圓片形式的批量生產(chǎn)工藝進行制造，一次完成整個晶圓芯片的封裝大大提高了封裝效率?！ ?）具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點，即輕，薄，短，小。封裝尺寸接近芯片尺寸，同時也沒有管殼的高度限制?！ ?）封裝芯片
2021-02-23 16:35:18
本人想了解下晶圓制造會用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
晶圓級CSP的返修工藝包括哪幾個步驟？晶圓級CSP對返修設(shè)備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
晶圓級CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
當高頻發(fā)生器接通電源后，高頻電流I通過感應線圈產(chǎn)生交變磁場(綠色)。開始時，管內(nèi)為Ar氣，不導電，需要用高壓電火花觸發(fā)，使氣體電離后，在高頻交流電場的作用下，帶電粒子高速運動，碰撞，形成“雪崩”式放電，產(chǎn)生等離子體氣流。
2019-10-09 09:11:46
近年來，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴大。在半導體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在
2022-05-18 15:16:16
等離子弧切割機是借助等離子切割技術(shù)對金屬材料進行加工的機械。等離子切割是利用高溫等離子電弧的熱量使工件切口處的金屬部分或局部熔化(和蒸發(fā))，并借高速等離子的動量排除熔融金屬以形成切口的一種加工方法。
2019-09-27 09:01:37
等離子發(fā)生器的主要工作原理是將低電壓通過升壓電路升至正高壓及負高壓，利用正高壓及負高壓電離空氣產(chǎn)生大量的正離子及負離子，負離子的數(shù)量大于正離子的數(shù)量。
2019-09-30 09:00:48
等離子顯示器的工作原理是什么？ＰＤＰ等離子顯示器有哪些特點？等離子顯示器比傳統(tǒng)的顯像管和ＬＣＤ液晶顯示器具有哪些技術(shù)優(yōu)勢？
2021-06-07 06:06:32
為了提高等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的頻率輸出,提出一種新型的全橋拓撲結(jié)構(gòu)。應用LCR諧振原理,對傳統(tǒng)的全橋逆變拓撲結(jié)構(gòu)進行改進,當諧振電路工作在恰當?shù)膮^(qū)域可以實現(xiàn)開關(guān)管的零電壓的開通和近似零電壓的關(guān)斷,能
2023-09-20 07:38:22
】：1引言電子元器件在生產(chǎn)過程中由于手印、焊劑、交叉污染、自然氧化等，其表面會形成各種沾污。這些沾污包括有機物、環(huán)氧樹脂、焊料、金屬鹽等，會明顯影響電子元器件在生產(chǎn)過程中的相關(guān)工藝質(zhì)量，例如繼電器的接觸電阻，從而降低了電子元器件的可靠性和成品合格率。等離子體是全文下載
2010-06-02 10:07:40
等離子顯示屏是由相距幾百微米的兩塊玻璃板，中間排列大量的等離子腔密封組成的。每個等離子腔都充有惰性氣體，通過對其施加電壓來產(chǎn)生紫外光，從而激勵顯示屏上的紅綠藍三基色熒光粉發(fā)光。每個等離子腔體等效于一個像素，其工作機理類似普通日光燈。由這些像素的明暗和顏色變化，來合成各種灰度和色彩的電視圖像。
2019-10-17 09:10:18
等離子電視工作原理與日光燈很相似，等離子電視也叫3D等離子電視，它采用了等離子管作為發(fā)光元件，屏幕上每一個等離子管對應一個像素，屏幕以玻璃作為基板，基板間隔一定距離，四周經(jīng)氣密性封接形成一個個放電
2014-02-10 18:20:48
等離子的使用壽命是多久？ 答： 等離子電視的使用壽命大約為6
2009-05-24 18:00:55
等離子適合什么環(huán)境？ 由于先天的成像原理，等離子電視比較適合較暗的環(huán)境，那些亮麗的場所并不適合等離子電視使用。
2009-05-24 18:10:24
到一塊玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在單晶硅片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴散/離子植入、化學氣相沉積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司一般被稱為晶圓代工廠。5.[IC測試
2019-01-02 16:28:35
本文旨在探索一種確保 LCD 和等離子 TV 屏幕亮度的方式，以便對屏幕上的各個點執(zhí)行顏色溫度測試。
2019-11-01 11:39:29
工藝方法是整個板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層（見圖3）。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的最大缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。因此當
2018-11-26 16:58:50
密度積層式多層印制電路板制造需求的不斷增加，大量運用到激光技術(shù)進行鉆盲孔制造，作為激光鉆盲孔應用的付產(chǎn)物——碳而言，需于孔金屬化制作工藝前加以去除。此時，等離子體處理技術(shù)，毫不諱言地擔當其了除去碳化物
2018-09-21 16:35:33
的電氣特性和物理特性的要求。其中Tg應大于150攝氏度而介電常數(shù)大都也應小于等于4.0。 3.圖形轉(zhuǎn)移形成等離子體蝕刻窗口(微導通孔圖形) 這一步和常規(guī)pcb電路板圖形轉(zhuǎn)移制造工藝一樣。經(jīng)過貼壓并固化
2017-12-18 17:58:30
近年來，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴大。在半導體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在
2022-05-17 16:41:13
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應用編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
GaN 襯底上獲得高性能的薄膜器件，必須使 GaN 襯底的表面沒有劃痕和損壞。因此，晶圓工藝的最后一步 CMP 對后續(xù)同質(zhì)外延 GaN 薄膜和相關(guān)器件的質(zhì)量起著極其重要的作用。CMP 和干蝕刻似乎
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項工作的重點是改進自上而下的 GaN 納米線的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現(xiàn)有
2021-07-08 13:11:24
大多數(shù) III 族氮化物的加工都是通過干式等離子體蝕刻完成的。 干式蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷 并且難以獲得激光所需的光滑蝕刻側(cè)壁。通過干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁的粗糙度約為 50 nm，盡管最近
2021-07-07 10:24:07
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
的輔助。 測試是為了以下三個目標。第一，在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片。第二，器件/電路的電性參數(shù)進行特性評估。工程師們需要監(jiān)測參數(shù)的分布狀態(tài)來保持工藝的質(zhì)量水平。第三，芯片的合格品與不良品
2011-12-01 13:54:00
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子
2018-09-03 09:31:49
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
把一面的銅箔蝕刻掉，不存在上下位置精度問題。該工藝與在下面所敘述的等離子體蝕孔和化學蝕孔雷同。目前受激準分子激光加工的孔是最微細的。受激準分子激光是紫外線，直接破壞基底層樹脂的結(jié)構(gòu)，使樹脂分子離散
2019-01-14 03:42:28
上下孔的位置精度可能會制約鉆孔的孔徑。如果是鉆盲孔，只要把一面的銅箔蝕刻掉，不存在上下位置精度問題。該工藝與在下面所敘述的等離子體蝕孔和化學蝕孔雷同。 目前受激準分子激光加工的孔是最微細的。受激
2016-08-31 18:35:38
同尺寸的等離子為什么比液晶便宜？同尺寸的等離子為什么比液晶便宜，因為等離子的亮度和看電視的效果比液晶好象還要好些？ 造成這種情況的成因有
2009-05-24 18:13:16
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細和覆雜的化學反應過程,卻又是一項易于進行的工作。只要工藝上達至調(diào)通﹐就可以進行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開機以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
目晶圓提高了設(shè)計效率，降低了開發(fā)成本，為設(shè)計人員提供了實踐機會，并促進了集成電路設(shè)計成果轉(zhuǎn)化，對IC設(shè)計人才的培訓，及新產(chǎn)品的開發(fā)研制均有相當?shù)拇龠M作用。隨著制造工藝水平的提高，在生產(chǎn)線上制造芯片
2011-12-01 14:01:36
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機污染物等雜質(zhì)，但是同時在等離子產(chǎn)生過程中電極會出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
的硅晶圓）的優(yōu)異效率和增益性能，等離子照明首次有望主宰照明市場。由于射頻能量等離子照明能夠以低于傳統(tǒng)技術(shù)的成本提高效率和可控性，升級到節(jié)能解決方案就像更換燈泡一樣簡單?，F(xiàn)有路燈的燈具、接線和燈架應完全
2017-12-14 10:24:22
應用于生長室等離子照明顯著發(fā)展的一個應用是園藝。LEP能夠發(fā)射類似于自然光（包括紫外線UVA和紫外線UVB）的連續(xù)全光譜光，無需像LED所用光一樣進行二次熒光轉(zhuǎn)換，因此，無論大型還是小型生長照明環(huán)境
2018-02-07 10:15:47
怎么選擇晶圓級CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
招聘6/8吋晶圓測試工藝工程師/主管1名工作地點：無錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測試經(jīng)驗3年以上，工藝主管：晶圓測試經(jīng)驗5年以上；2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測試，熟悉IC晶圓測試尤佳
2017-04-26 15:07:57
本文開發(fā)了一套基于PC+PLC等離子熔射自動控制系統(tǒng)。經(jīng)過實驗驗證，系統(tǒng)具有良好的抗干擾能力，能夠適應等離子熔射工藝需求，為該工藝由技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力奠定了一定基礎(chǔ)。
2021-05-06 10:20:09
替代傳統(tǒng)的熒光燈管，畫面更優(yōu)質(zhì)，理論壽命更長，制作工藝更環(huán)保，并且能使液晶顯示面板更薄。二、液晶、等離子和Led液晶電視大比拼 1、工作原理各有所長形象點說，液晶分子就是一扇扇小窗戶，這些小窗戶不但
2012-02-15 20:07:08
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
spec-troscopy,LIBS)是近年發(fā)展起來的一種基于激光與材料相互作用的物理學與光譜學交叉的物質(zhì)組分定量分析技術(shù)[1-3]。其原理是利用聚焦的強激光束入射樣品表面產(chǎn)生激光等離子體,等離子體輻射光譜含有被測物質(zhì)的組分和組分全文下載
2010-04-22 11:33:27
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對工藝就要
2016-06-29 11:25:04
石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對工藝就要
2018-08-16 09:10:35
及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造
2011-12-01 11:48:46
工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的最大缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。因此當導線線寬十分精細時將會產(chǎn)生一系列的問題。同時,側(cè)腐蝕會嚴重影響線條的均勻性
2018-09-19 15:39:21
怎么實現(xiàn)等離子電源的EMC設(shè)計？PCB布板時需要注意什么？
2021-04-09 06:54:43
選購等離子電視的幾大誤區(qū)大屏幕平板電視正受到越來越多的消費者關(guān)注與選擇，眾多消費者認為液晶電視比等離子更節(jié)能、壽命更長等優(yōu)勢，似乎成為了消費者的選擇液晶電視的主要原因。實際上選購等離子電視有以下二大
2009-12-16 09:36:34
長虹等離子(50638X、50738X)模組紅點問題解決方案文件下載
2021-06-03 06:54:18
晶圓等離子去膠機VP-RS15真空腔體不銹鋼材質(zhì)，腔體容積15升，功率500W，頻率13.56MHz，能對材料起到清潔、刻蝕、活化、改性的作用，滿功率運行3分鐘，腔體溫度不高于45℃，不損傷樣品
2022-09-22 09:39:08
議程液晶/等離子電視電源系統(tǒng)簡介液晶/等離子電視電源系統(tǒng)的解決方案英飛凌推薦產(chǎn)品英飛凌demoboard背光電源液晶/等離子電視電源系統(tǒng)簡介液晶/等離子電視電
2010-06-13 09:07:24
44 Ethereum的聯(lián)合創(chuàng)始人Vitalik Buterin提出了一種名為等離子體現(xiàn)金的區(qū)塊鏈擴展解決方案，這是一種甚至“更可伸縮”的現(xiàn)有解決方案。等離子體現(xiàn)金由Buterin和開發(fā)者Dan
2018-03-13 07:31:00739 ，就由博世智能制造解決方案事業(yè)部（以下簡稱ATMO-3CN）的專家來帶我們探索等離子涂層技術(shù)的奧秘。 12 本期專家： Yu Sisley 博世智能制造解決方案事業(yè)部涂層生產(chǎn)及工程項目工藝工程師。畢業(yè)于英國曼徹斯特大學，先進材料工程碩士及
2021-06-18 09:51:174313 本文對單晶石英局部等離子體化學刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵下，在CF4和H2的氣體混合物中進行蝕刻。采用田口矩陣法的科學實驗設(shè)計來檢驗腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804 
通過使半導體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設(shè)計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 
反應性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發(fā)生化學反應的材料會被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊，基材分子會進入激發(fā)態(tài)，從而更加易于發(fā)生反應。
2022-09-19 15:17:553393 體何時完全蝕刻了一個特定的層并到達下一個層。通過監(jiān)測等離子體在蝕刻過程中產(chǎn)生的發(fā)射線，可以精確跟蹤蝕刻過程。這種終點檢測對于使用基于等離子體的蝕刻工藝的半導體材料生產(chǎn)至關(guān)重要。 等離子體是一種被激發(fā)的、類似氣
2022-09-21 14:18:37696 
氧等離子體和氫等離子體都可用于蝕刻石墨烯。兩種石墨烯氣體等離子刻蝕的基本原理是通過化學反應沿石墨烯的晶面進行刻蝕。不同的是，氧等離子體攻擊碳碳鍵后形成一氧化碳、二氧化碳等揮發(fā)性氣體，而氫等離子體則形成甲烷氣體并與之形成碳氫鍵。
2022-06-21 14:32:25391 
大家都知道，目前等離子表面處理工藝應用于LCD、LED、IC、PCB、SMT、BGA、引線框、平板顯示器的清洗和蝕刻等領(lǐng)域。等離子表面清洗IC可以顯著提高導線耦合強度，降低電路故障的可能性。溢出
2022-09-27 10:05:05897 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
等離子體工藝是干法清洗應用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點和應用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36453 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
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