在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。
2021-07-26 17:32:09
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目前為止，在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中，都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學(xué)工藝的多個(gè)步驟。
2022-09-22 16:04:441861 
等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626 由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時(shí)MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時(shí)，MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大，掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大粒子有更多概率和其他粒子發(fā)生碰撞，使其具有較短的MFP。改變壓力會(huì)改變粒子密度，因此會(huì)影響MFP，即λ反比于壓力p。
2022-12-05 11:31:431025 表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會(huì)議，對(duì)2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會(huì)議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測(cè)量24、 納米、微米臺(tái)階測(cè)量25、 電阻、方阻、電阻率測(cè)量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
大家有沒有用過半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
滲透、與UV紫外線殺菌等重重關(guān)卡，才能放行使用。由于去離子水是最佳的溶劑與清潔劑，其在半導(dǎo)體工業(yè)之使用量極為驚人！ 8、潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機(jī)臺(tái)空壓所需要的，都得使用氮?dú)?(98
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
近幾年來，由于半導(dǎo)體芯片在電腦，通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體制造業(yè)不僅在全球，在中國也得到了飛速發(fā)展。9月5日工信部部長指出要通過編制十四五規(guī)劃，將培育軟件產(chǎn)業(yè)生態(tài)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)聚集，加快建設(shè)數(shù)字
2020-09-24 15:17:16
近年來，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴(kuò)大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在
2022-05-18 15:16:16
等離子弧切割機(jī)是借助等離子切割技術(shù)對(duì)金屬材料進(jìn)行加工的機(jī)械。等離子切割是利用高溫等離子電弧的熱量使工件切口處的金屬部分或局部熔化(和蒸發(fā))，并借高速等離子的動(dòng)量排除熔融金屬以形成切口的一種加工方法。
2019-09-27 09:01:37
等離子顯示器的工作原理是什么？ＰＤＰ等離子顯示器有哪些特點(diǎn)？等離子顯示器比傳統(tǒng)的顯像管和ＬＣＤ液晶顯示器具有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？
2021-06-07 06:06:32
等離子顯示屏是由相距幾百微米的兩塊玻璃板，中間排列大量的等離子腔密封組成的。每個(gè)等離子腔都充有惰性氣體，通過對(duì)其施加電壓來產(chǎn)生紫外光，從而激勵(lì)顯示屏上的紅綠藍(lán)三基色熒光粉發(fā)光。每個(gè)等離子腔體等效于一個(gè)像素，其工作機(jī)理類似普通日光燈。由這些像素的明暗和顏色變化，來合成各種灰度和色彩的電視圖像。
2019-10-17 09:10:18
組成之混合氣體，舉例說明等離子體處理之機(jī)理： (2)用途： 1、凹蝕 / 去孔壁樹脂沾污； 2、提高表面潤濕性(聚四氟乙烯表面活化處理)； 3、采用激光鉆孔之盲孔內(nèi)碳的處理； 4、改變內(nèi)層表面
2013-10-22 11:36:08
密度積層式多層印制電路板制造需求的不斷增加，大量運(yùn)用到激光技術(shù)進(jìn)行鉆盲孔制造，作為激光鉆盲孔應(yīng)用的付產(chǎn)物——碳而言，需于孔金屬化制作工藝前加以去除。此時(shí)，等離子體處理技術(shù)，毫不諱言地?fù)?dān)當(dāng)其了除去碳化物
2018-09-21 16:35:33
的電氣特性和物理特性的要求。其中Tg應(yīng)大于150攝氏度而介電常數(shù)大都也應(yīng)小于等于4.0。 3.圖形轉(zhuǎn)移形成等離子體蝕刻窗口(微導(dǎo)通孔圖形) 這一步和常規(guī)pcb電路板圖形轉(zhuǎn)移制造工藝一樣。經(jīng)過貼壓并固化
2017-12-18 17:58:30
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
近年來，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴(kuò)大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在
2022-05-17 16:41:13
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其
2018-09-03 09:31:49
我想用單片機(jī)開發(fā)板做個(gè)熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半導(dǎo)體制冷片的正負(fù)極能反接嗎，如果可以，那原來的制冷面是不是可變成散熱面而原來的散熱面變成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
微波射頻能量使用受控的電磁輻射來為不同過程供電，能夠有效利用固態(tài)解決方案取代當(dāng)前的磁控管，除了快速的頻率、相位和功率捷變外，這種解決方案還可提供低電壓驅(qū)動(dòng)、半導(dǎo)體式可靠性和更小的外形尺寸，并輔之以
2017-12-14 10:24:22
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學(xué)?。┲饕糜谇鍧嵕A。 干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會(huì)涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時(shí)將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP CVD)工藝隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，單個(gè)芯片上所能承載的晶體管數(shù)量以驚人的速度增長，與此同時(shí)，半導(dǎo)體制造商們出于節(jié)約成本的需要迫
2009-12-17 14:49:05
46 中國半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡(jiǎn)稱“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:501867 半導(dǎo)體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:4747 本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-23 17:32:3169224 
本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。 一、半導(dǎo)體制造
2018-09-04 14:03:026592 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00200 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 上?！?月20-22日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)攜旗下前沿半導(dǎo)體制造工藝與技術(shù)亮相SEMICON China 2019，并分享其對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的深刻見解與洞察。作為中國半導(dǎo)體
2019-03-21 16:57:463815 。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術(shù)。第六章和第七章介紹半導(dǎo)體摻雜的主要技術(shù)；擴(kuò)散法和離子注入法。第八章涉及一些相對(duì)獨(dú)立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法。《半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》最后三章集中討論制版和綜合。
2020-03-09 08:00:00229 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41237 標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導(dǎo)體制造
2022-03-14 16:11:136771 
的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜，包括從微粉化一邊倒到三維化，半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化，用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:083886 
VLSI制造過程中，晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對(duì)設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時(shí)的門。在典型的半導(dǎo)體制造工藝中，清潔工藝在工藝前后反復(fù)進(jìn)行
2022-03-22 14:13:163580 
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
/O2氣體氣氛中進(jìn)行干洗，在CF4等離子體條件下進(jìn)行干燥，在O2等離子體的條件下進(jìn)行干燥劑后， 通過執(zhí)行濕式清潔工藝去除上述殘留光刻膠，可以徹底去除半導(dǎo)體裝置制造過程中使用的光刻膠，增進(jìn)半導(dǎo)體裝置的可靠性，防止設(shè)備污染。
2022-04-13 13:56:42872 
與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費(fèi)用。
2022-12-29 17:28:541463 近年來，等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴(kuò)大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域，利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，它可以在緊湊的封裝中產(chǎn)生低溫等離子體*1，并具有更低的功耗。它有望促進(jìn)各種設(shè)備的開發(fā)，使離子體技術(shù)更容易使用。
2023-02-27 17:54:38746 
針對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41712 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04479 
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統(tǒng)，然而一個(gè)射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:171357 
在半導(dǎo)體制造過程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552902 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
半導(dǎo)體制造是現(xiàn)代微電子技術(shù)的核心，涉及一系列精細(xì)、復(fù)雜的工藝步驟。下面我們將詳細(xì)解析半導(dǎo)體制造的八大關(guān)鍵步驟：
2023-09-22 09:05:191720 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進(jìn)制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174
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