新思科技與GLOBALFOUNDRIES持續(xù)合作 推出高質(zhì)量DesignWare IP

　　高質(zhì)量DesignWare接口和模擬IP經(jīng)過優(yōu)化，可在人工智能、云計算和移動芯片中實現(xiàn)高性能和低功耗。

　　重點：

　　? 針對GLOBALFOUNDRIES 12LP FinFET工藝的DesignWare IP組合包括多協(xié)議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉(zhuǎn)換器

　　? 新思科技DesignWare IP經(jīng)過優(yōu)化，可在人工智能、高端智能手機和網(wǎng)絡基礎設施等計算密集型應用中實現(xiàn)高性能和低延遲

　　? 兩家公司經(jīng)過長期合作，已成功開發(fā)出從180納米到12納米的DesignWare IP

　　新思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES （GF）合作，針對GF的12納米領先性能（12LP） FinFET工藝技術，開發(fā)覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合，包括多協(xié)議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express? 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉(zhuǎn)換器。新思科技基于GF 12LP工藝的DesignWare IP使設計人員能夠借助GF的12LP技術，在其人工智能（AI）、云計算、移動和消費片上系統(tǒng)（SoC）中實現(xiàn)最新的接口和模擬IP解決方案。與前幾代FinFET相比，12LP技術在邏輯密度上提高了10%，性能提高了15%以上。基于兩家公司長期伙伴關系，雙方已聯(lián)手開發(fā)出針對GF從180納米到12納米工藝的DesignWare IP。

　　GF生態(tài)系統(tǒng)副總裁Mark Ireland表示：“為了滿足對差異化、功能豐富的FinFET產(chǎn)品日益增長的需求，我們正在與新思科技合作，在GF的工藝中提供高質(zhì)量的IP，使設計人員能夠?qū)⒉町惢a(chǎn)品推向廣泛的細分市場。我們的12LP工藝與3D FinFET晶體管技術和新思科技高性能DesignWare IP的結(jié)合，使我們的共同用戶能夠加速實現(xiàn)量產(chǎn)。”

　　新思科技IP營銷副總裁John Koeter表示：“作為接口IP的領先供應商，新思科技繼續(xù)與GF等主要代工廠合作，提供面向最新FinFET工藝技術的DesignWare IP解決方案。通過新思科技針對GF 12LP工藝的DesignWare IP組合，設計人員能夠有效地將必要的功能整合進復雜的芯片中，同時滿足其移動和高端計算應用的帶寬和功耗要求?！?/p>