2SJ185-T1B-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

**2SJ185-T1B-VB Transistor**

- **絲?。?* VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **參數(shù)：**
 - 封裝：SOT23
 - 極性：P—Channel溝道
 - 最大耐壓：-60V
 - 最大電流：-0.5A
 - 開通電阻：RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓：Vth=-1.87V

- **封裝：** SOT23

**詳細參數(shù)說明:**
2SJ185-T1B-VB是一款P—Channel溝道場效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝，具有以下特性：最大耐壓為-60V，最大電流為-0.5A。開通電阻在不同門源電壓下分別為3000mΩ（VGS=10V）和3000mΩ（VGS=20V）。閾值電壓為-1.87V。

**應(yīng)用簡介:**
2SJ185-T1B-VB適用于多種電子設(shè)備和模塊，包括但不限于：
1. **電源管理模塊：** 由于其P—Channel溝道特性，可用于電源管理模塊，實現(xiàn)高效的電流控制和功耗管理。

2. **信號放大器：** 在信號放大電路中，通過其低閾值電壓和適度的電流能力，提供可靠的信號放大功能。

3. **電池保護電路：** 適用于電池保護電路，實現(xiàn)對電池充放電的有效控制。

請注意，以上僅為示例，實際應(yīng)用需根據(jù)具體設(shè)計要求和電路條件進行調(diào)整。