--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 180 MHz
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
STM32F446xC/E器件基于高性能ARM Cortex -M4 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)180 MHz。Cortex-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元(FPU)單精度,支持所有ARM單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了全套DSP指令和內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),從而增強(qiáng)了應(yīng)用程序的安全性。 STM32F446xC/E器件集成了高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá)512千字節(jié)的閃存、高達(dá)128千字節(jié)的SRAM)、高達(dá)4千字節(jié)的備份SRAM以及連接到兩條APB總線、兩條AHB總線和一個(gè)32位多AHB總線矩陣的大量增強(qiáng)型I/o和外設(shè)。 所有器件均提供三個(gè)12位ADC、兩個(gè)DAC、一個(gè)低功耗RTC、十二個(gè)通用16位定時(shí)器(包括兩個(gè)用于電機(jī)控制的PWM定時(shí)器)和兩個(gè)通用32位定時(shí)器。 它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口。
特性
內(nèi)核:帶FPU的ARM 32位Cortex -M4 CPU、自適應(yīng)實(shí)時(shí)加速器(ART Accelerator),允許從閃存執(zhí)行0等待狀態(tài)、頻率高達(dá)180 MHz、MPU、225 DMI PS/1.25 DMI PS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令 記憶 512 kB閃存 128 KB SRAM 具有高達(dá)16位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Flash NOR/NAND存儲(chǔ)器 雙模四通道SPI接口 LCD并行接口,8080/6800模式 時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理 1.7 V至3.6 V應(yīng)用電源和I/o POR、PDR、PVD和博爾 4至26 MHz晶體振蕩器 內(nèi)部16 MHz工廠調(diào)整RC(1%精度) 用于帶校準(zhǔn)的RTC的32 kHz振蕩器 帶校準(zhǔn)的內(nèi)部32 kHz RC 低功耗 睡眠、停止和待機(jī)模式 用于RTC的VBATsupply、20×32位備份寄存器+可選4 KB備份SRAM 3×12位2.4 MSPS ADC:三倍交錯(cuò)模式下多達(dá)24個(gè)通道和7.2 MSPS 2×12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器 通用DMA: 16流DMA控制器,支持FIFOs和突發(fā) 多達(dá)17個(gè)定時(shí)器:2個(gè)看門狗、1個(gè)SysTick定時(shí)器和多達(dá)12個(gè)16位和2個(gè)32位定時(shí)器,最高頻率為180 MHz,每個(gè)定時(shí)器最多帶有4個(gè)IC/OC/PWM或脈沖計(jì)數(shù)器調(diào)試模式 社會(huì)福利署與JTAG的接口 皮質(zhì)-M4跟蹤宏單元 多達(dá)114個(gè)具有中斷功能的I/O端口 高達(dá)90 MHz的111個(gè)快速I/o 多達(dá)112個(gè)5 V耐受I/o 多達(dá)20個(gè)通信接口 SPDIF Rx 多達(dá)4個(gè)I2C接口(SMBus/PMBus) 多達(dá)4個(gè)USARTs個(gè)UART(11.25 Mbit/s,ISO7816接口,LIN,IrDA,調(diào)制解調(diào)器控制) 多達(dá)4個(gè)SPI(45 Mbits/s),3個(gè)帶多路復(fù)用I2S,通過內(nèi)部音頻PLL或外部時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)音頻級(jí)精度 2個(gè)SAI(串行音頻接口) 2×CAN(2.0B有效) SDIO接口 消費(fèi)電子控制(CEC)接口 高級(jí)連接 帶片內(nèi)PHY的USB 2.0全速設(shè)備/主機(jī)/OTG控制器 USB 2.0高速/全速設(shè)備/主機(jī)/OTG控制器,帶專用DMA、片內(nèi)全速PHY和ULPI 專用USB電源軌支持整個(gè)MCU電源范圍內(nèi)的片內(nèi)PHYs操作 高達(dá)54兆字節(jié)/秒的8至14位并行攝像頭接口 CRC計(jì)算單元 RTC:亞秒級(jí)精度、硬件日歷 96位唯一ID
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