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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD5867NLT4G-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): NTD5867NLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NTD5867NLT4G (VBE1638)參數(shù)說(shuō)明:N溝道,60V,45A,導(dǎo)通電阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓1.8V,封裝:TO252。


應(yīng)用簡(jiǎn)介:NTD5867NLT4G適用于高功率N溝道MOSFET,常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊:適用于高功率應(yīng)用,如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。
 

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