IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數(shù)說明：N溝道，100V，70A，導通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。
應用簡介：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關、電機控制和逆變器等領域模塊。
其極低的導通電阻使其在低電壓降場景中性能卓越。
優(yōu)勢與適用領域：適用于高功率應用，如電源開關、電機控制和逆變器等模塊。
極低的導通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
AP9998GS-HF-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:37
產(chǎn)品型號：AP9998GS-HF-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
AP9998GI-HF-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:36
產(chǎn)品型號：AP9998GI-HF-VB 封裝：TO220F 溝道：Single-N -
AP9998GH-HF-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:35
產(chǎn)品型號：AP9998GH-HF-VB 封裝：TO263 溝道：Single-N -
AP9997GP-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:34
產(chǎn)品型號：AP9997GP-VB 封裝：TO220 溝道：Single-N -
AP9997GM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:33
產(chǎn)品型號：AP9997GM-VB 封裝：SOP8 溝道：Dual-N+N -
AP9997GJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:31
產(chǎn)品型號：AP9997GJ-HF-VB 封裝：TO251 溝道：Single-N -
AP9997GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:30
產(chǎn)品型號：AP9997GH-VB 封裝：TO252 溝道：Single-N -
AP9997GH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:27
產(chǎn)品型號：AP9997GH-HF-VB 封裝：TO252 溝道：Single-N -
AP9997BGJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:26
產(chǎn)品型號：AP9997BGJ-HF-VB 封裝：TO251 溝道：Single-N -
AP9997BGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明2024-12-27 14:25
產(chǎn)品型號：AP9997BGH-HF-VB 封裝：TO252 溝道：Single-N