型號 PSMN025100D 絲印 VBE1102N 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 45A 導通電阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 3.2V 封裝類型 TO252詳細參數(shù)說明 PSMN025100D是一款N溝道MOS管，適用于最大100V的工作電壓，最大45A的電流承載能力。其導通電阻在10V下為18mΩ。閾值電壓為3.2V，需要在控制電壓大于該閾值時才能實現(xiàn)正常導通。封裝類型為TO252。應(yīng)用簡介 PSMN025100D適用于需要高電壓和高電流承載能力的應(yīng)用領(lǐng)域，如電源開關(guān)、電機驅(qū)動器、逆變器等。其較低的導通電阻和高額定電壓使其能夠在大功率傳輸和高壓應(yīng)用中具備卓越的性能。在電機驅(qū)動器模塊和逆變器模塊中，PSMN025100D能夠提供可靠的開關(guān)控制和高功率輸出。綜上所述，PSMN025100D適用于需要高電壓和大電流承載能力的應(yīng)用，尤其適用于電源開關(guān)、電機驅(qū)動器和逆變器等領(lǐng)域模塊。它的低導通電阻和高額定電壓為這些模塊提供了可靠性和高性能。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道類型 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 45A
- 導通電阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 3.2V
- 封裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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