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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTF2955PT1G-VB-SOT223封裝溝道MOSFET

型號: NTF2955PT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 P溝道
  • 額定電壓 60V
  • 額定電流 6.5A
  • 導通電阻 58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
  • 門源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 1~3Vth (V)
  • 封裝類型 SOT223

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NTF2955PT1G詳細參數(shù)說明  極性 P溝道 額定電壓 60V 額定電流 6.5A 導通電阻 58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1~3Vth (V) 封裝類型 SOT223應用簡介 NTF2955PT1G是一款P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有負的額定電壓和額定電流特性,能夠提供可靠且高效的電流開關(guān)功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓,可以實現(xiàn)開關(guān)管的導通和截止實現(xiàn)電流的控制和開關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較低的導通電阻可以降低功耗,并提高系統(tǒng)的效率。NTF2955PT1G采用SOT223封裝,適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應用于電源開關(guān)、電源逆變器、電機驅(qū)動器等領(lǐng)域。由于其負的額定電壓和額定電流特性,NTF2955PT1G特別適用于需要控制和開關(guān)負電壓的電路應用。在這些領(lǐng)域中,它能夠提供可靠的功率開關(guān)控制和負電壓的電流傳輸??傊琋TF2955PT1G是一款P溝道MOSFET,適用于電源管理和功率放大器的多種應用模塊。特別適用于需要控制和開關(guān)負電壓的領(lǐng)域,如電源開關(guān)、電機驅(qū)動器等。
 

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