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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK444-450B-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BUK444-450B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BUK444-450B-VB 產(chǎn)品簡介

BUK444-450B-VB 是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,使用Plannar技術(shù)制造。這款MOSFET 設(shè)計(jì)用于承受高達(dá)650V的漏源極電壓,并能處理高達(dá)4A的漏極電流。盡管其導(dǎo)通電阻相對較高(2560mΩ),它在高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合用于需要高電壓耐受性和穩(wěn)定性的應(yīng)用。

### 二、BUK444-450B-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BUK444-450B-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 三、BUK444-450B-VB 適用領(lǐng)域和模塊舉例

BUK444-450B-VB 的高電壓承受能力和相對較高的導(dǎo)通電阻使其在以下領(lǐng)域和模塊中得到應(yīng)用:

1. **高壓電源管理**: 由于其能夠承受高達(dá)650V的電壓,BUK444-450B-VB 適用于高壓電源管理系統(tǒng),如高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源轉(zhuǎn)換器。這些系統(tǒng)需要高電壓耐受性來確保穩(wěn)定運(yùn)行,并能夠處理較高的電壓負(fù)載。

2. **功率開關(guān)設(shè)備**: 在各種功率開關(guān)設(shè)備中,如開關(guān)電源和功率放大器,BUK444-450B-VB 的高電壓耐受性使其能夠應(yīng)對高電壓負(fù)載,盡管其導(dǎo)通電阻相對較高,但仍能提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

3. **逆變器系統(tǒng)**: 在逆變器系統(tǒng),如太陽能逆變器和高壓直流輸電系統(tǒng)中,該MOSFET 的高電壓能力使其能夠處理高電壓輸入,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。

4. **電力電子變換器**: 在電力電子變換器應(yīng)用中,如電動(dòng)汽車充電器和高壓直流電源,該MOSFET 能夠在高電壓條件下工作,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但在高電壓場景中提供了可靠的性能。

BUK444-450B-VB 的高電壓耐受性使其適合在需要處理高電壓環(huán)境的應(yīng)用中使用,能夠在各種高壓電力電子系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

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