### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**BSD840N-VB** 是一款雙N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝形式為SC70-6。該MOSFET設(shè)計(jì)用于低電壓應(yīng)用，具有20V的漏源電壓（VDS）和最大12V的柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻和寬閾值電壓范圍使其適合在各種低電壓、高開(kāi)關(guān)頻率的電路中使用，提供高效的開(kāi)關(guān)性能和良好的電流控制能力。
### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSD840N-VB
- **封裝**: SC70-6
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 20V
- **柵源電壓（VGS）**: ±12V
- **閾值電壓（Vth）**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 86mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流（ID）**: 2.6A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
**BSD840N-VB** 適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. **低電壓電源管理**: 用于20V電源轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊，提供高效能和低功率損耗的開(kāi)關(guān)控制。
2. **開(kāi)關(guān)電路**: 適用于低電壓開(kāi)關(guān)電路，如小型開(kāi)關(guān)電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)，提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻。
3. **信號(hào)處理**: 在信號(hào)處理電路中使用，能夠提供可靠的開(kāi)關(guān)和控制功能，適合用于低功率應(yīng)用。
4. **便攜式設(shè)備**: 適合用于便攜式電子設(shè)備和小型電路板中，優(yōu)化空間利用和電流管理，提升設(shè)備的整體性能。
該MOSFET的低電壓和高開(kāi)關(guān)頻率特性使其在各種低功率和便攜式應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
