### 產(chǎn)品簡介
BSC600N25NS3 G-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，封裝為 DFN8 (5x6)，設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用。它具備 250V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 3.5V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，導(dǎo)通電阻為 42mΩ，最大漏極電流為 35A。采用 Trench 技術(shù)制造，提供了高電壓下的穩(wěn)定性能和良好的開關(guān)特性。
### 參數(shù)說明
- **型號**: BSC600N25NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 250V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 42mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 35A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSC600N25NS3 G-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊：
- **電源管理**: 在高電壓電源模塊中提供開關(guān)控制，處理高電壓電流的應(yīng)用。
- **逆變器**: 適用于光伏和風(fēng)能逆變器中，作為高電壓開關(guān)元件，支持高效能電能轉(zhuǎn)換。
- **電力電子設(shè)備**: 在高電壓電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中作為開關(guān)，確保系統(tǒng)穩(wěn)定和高效。
- **工業(yè)控制**: 在高電壓工業(yè)應(yīng)用中用作開關(guān)元件，提供可靠的電流控制和負(fù)載管理。
