BSC340N08NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

**1. 產(chǎn)品簡介：**

BSC340N08NS3 G-VB 是一款高耐壓 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。它采用 Trench 技術(shù)，具備高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻，適用于高電壓和高電流的應(yīng)用場景。

**2. 詳細(xì)參數(shù)說明：**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench

**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**

BSC340N08NS3 G-VB 適用于高電壓電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源保護(hù)電路、電機(jī)驅(qū)動和高電壓開關(guān)模塊。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在高電壓場景中具有出色的開關(guān)性能，適合用于需要處理較高電壓和電流的電子設(shè)計(jì)。