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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC123N10LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC123N10LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**型號:BSC123N10LS G-VB**

BSC123N10LS G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。該MOSFET利用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的電流處理能力,適合用于高效能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。BSC123N10LS G-VB支持高達(dá)100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其門檻電壓(Vth)為2.5V,確保在適中的柵極電壓下能夠可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為12.36mΩ,在10V柵極電壓下為9mΩ,能夠提供高達(dá)65A的連續(xù)漏極電流(ID)。這使其在高電壓和高電流需求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號**: BSC123N10LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 100V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 12.36mΩ
 - @VGS = 10V: 9mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 65A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理系統(tǒng)**:BSC123N10LS G-VB在電源管理系統(tǒng)中的應(yīng)用十分廣泛。由于其高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻,這款MOSFET非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,能夠提高系統(tǒng)效率并減少功耗,適用于計算機(jī)電源、電源適配器和通信設(shè)備中的電源管理模塊。

**電動汽車**:在電動汽車的電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,BSC123N10LS G-VB的高電流能力和高電壓承受能力使其能夠處理電動汽車中的高電流和高電壓需求。其低RDS(ON)特性有助于減少能量損耗,提高電動汽車的性能和續(xù)航能力。

**工業(yè)電源**:BSC123N10LS G-VB適用于高功率工業(yè)電源應(yīng)用,如變頻器和高功率電源供應(yīng)單元。其高電壓和高電流能力確保了系統(tǒng)在處理高功率負(fù)載時的高效穩(wěn)定,適合在各種工業(yè)電源和動力系統(tǒng)中使用。

**LED驅(qū)動器**:對于高功率LED照明應(yīng)用,BSC123N10LS G-VB的低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗和熱量,提高LED的工作效率和使用壽命。其性能特點(diǎn)使其在高亮度LED照明系統(tǒng)和LED驅(qū)動模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。

**高壓開關(guān)**:在需要高電壓和高電流開關(guān)的應(yīng)用中,如電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換模塊,BSC123N10LS G-VB能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。其高電壓承受能力和較低導(dǎo)通電阻使其成為高壓開關(guān)系統(tǒng)的理想選擇。

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