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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC118N10NS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC118N10NS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

BSC118N10NS G-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),封裝為DFN8(5x6)。該MOSFET具備高達100V的漏源電壓承受能力,并支持最大65A的漏極電流。其低導(dǎo)通電阻和適中的閾值電壓設(shè)計使其在較低的柵極電壓下也能高效運行。BSC118N10NS G-VB廣泛應(yīng)用于需要高電流和高電壓處理的場合,提供優(yōu)異的開關(guān)性能和高效能。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8(5x6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12.36mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:65A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:
  BSC118N10NS G-VB適用于高壓電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如高壓AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC變換器。其高漏源電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和高效能,使其適合于復(fù)雜的電源管理任務(wù)。

2. **電力電子設(shè)備**:
  在電力電子設(shè)備中,BSC118N10NS G-VB可用于電力調(diào)節(jié)和開關(guān)控制,如電源因數(shù)校正(PFC)電路和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。其高電壓耐受能力和優(yōu)異的開關(guān)性能提高了設(shè)備的效率和可靠性。

3. **電動機驅(qū)動**:
  該MOSFET適用于電動機驅(qū)動應(yīng)用,尤其是在需要高電流和高電壓的電動機控制系統(tǒng)中。無論是步進電機還是直流電機驅(qū)動器,BSC118N10NS G-VB都能提供穩(wěn)定的電流控制和高效的功率轉(zhuǎn)換。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子領(lǐng)域,BSC118N10NS G-VB可以用于汽車電源管理系統(tǒng)和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。其高電流處理能力和高電壓承受能力為汽車系統(tǒng)提供了可靠的電源管理和開關(guān)控制。

5. **工業(yè)自動化**:
  在工業(yè)自動化領(lǐng)域,該MOSFET可用于PLC控制器、電動閥門和其他工業(yè)電源管理設(shè)備。其高電流和高電壓處理能力確保了工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能,適用于各種高負荷應(yīng)用。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域的描述,BSC118N10NS G-VB MOSFET憑借其高電流處理能力、高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻,適用于各種高效能和高可靠性的電源管理及開關(guān)應(yīng)用中。

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