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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4501M-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP4501M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP4501M-VB是一款雙N+P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Dual N+P-Channel MOSFET),采用SOP8封裝。它結(jié)合了N溝道和P溝道MOSFET的優(yōu)勢(shì),適用于需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的電路設(shè)計(jì),具有良好的導(dǎo)通特性和功率管理能力。此款MOSFET適用于多種應(yīng)用,包括電源管理、電動(dòng)工具、家電、電動(dòng)車(chē)輛、工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:AP4501M-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:±30V
- **柵源極電壓(VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:1.6V(N溝道) / -1.7V(P溝道)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - 24mΩ @ VGS=4.5V
   - 18mΩ @ VGS=10V
 - P溝道:
   - 50mΩ @ VGS=4.5V
   - 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:±8A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

AP4501M-VB適用于多種需要正負(fù)電壓控制和功率管理的應(yīng)用場(chǎng)合,以下是幾個(gè)具體的應(yīng)用示例:

1. **電源管理**:
  AP4501M-VB在電源管理單元中可用作雙極性電源開(kāi)關(guān),控制正負(fù)電壓的輸出,適用于電池供電系統(tǒng)和電源逆變器。這款MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于提高電源效率和性能。

2. **電動(dòng)工具和家電**:
  在電動(dòng)工具和家用電器中,AP4501M-VB用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率開(kāi)關(guān)控制,能夠提升設(shè)備的性能和能效。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了設(shè)備在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電動(dòng)車(chē)輛**:
  在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)輛的電力傳動(dòng)系統(tǒng)中,AP4501M-VB作為功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)。這款MOSFET的高耐壓和高電流能力確保了電動(dòng)車(chē)輛系統(tǒng)的可靠性和高效性。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,AP4501M-VB用于高效能量轉(zhuǎn)換和精確的電動(dòng)執(zhí)行器控制。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性支持工業(yè)設(shè)備的高性能操作和精確控制。

5. **通信設(shè)備**:
  在通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,AP4501M-VB作為功率管理器件,支持高頻率開(kāi)關(guān)和電源管理。這款MOSFET的高電壓和高電流處理能力確保了通信設(shè)備在高負(fù)載和高頻操作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

AP4501M-VB憑借其雙N+P溝道結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電性能特征,能夠滿足復(fù)雜電路設(shè)計(jì)的需求,廣泛應(yīng)用于各種需要正負(fù)電壓控制和高效能量轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備和系統(tǒng)中。

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