描述
D1020UK是由Semelab plc生產(chǎn)的一款高性能金層化多用途硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（RF FET），專(zhuān)為150W輸出功率、28V供電電壓、400MHz頻率范圍內(nèi)的推挽應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品具備優(yōu)異的射頻性能，適用于需要高功率和高效率的通信系統(tǒng)。
特性
- 超低Crss（反向傳輸電容）：有助于減少寄生效應(yīng)，提高放大器的穩(wěn)定性和性能。
- 簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì)：便于設(shè)計(jì)人員快速實(shí)現(xiàn)高性能射頻放大器。
- 寬帶應(yīng)用適用：適合寬帶應(yīng)用，覆蓋從1MHz到500MHz的頻率范圍。
- 簡(jiǎn)單的偏置電路：簡(jiǎn)化了設(shè)備的偏置設(shè)計(jì)，降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
- 低噪聲：低噪聲特性使其在接收機(jī)和低噪聲放大器應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
- 高增益：最小增益為10dB，確保了信號(hào)的有效放大。
應(yīng)用
- HF/VHF/UHF通信：適用于1MHz至500MHz的通信系統(tǒng)，包括無(wú)線(xiàn)電廣播、無(wú)線(xiàn)通信和衛(wèi)星通信。
- 金屬柵射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（TetraFET）：采用先進(jìn)的金屬柵技術(shù)，提供卓越的射頻性能。
電氣特性
- 最大耗散功率：389W
- 漏源擊穿電壓：70V，±20V
- 漏極電流：最大25A
- 存儲(chǔ)溫度：-65°C至150°C
- 最大工作結(jié)溫：200°C
機(jī)械數(shù)據(jù)
- 封裝：提供詳細(xì)的機(jī)械尺寸和公差，以確保與現(xiàn)有系統(tǒng)的兼容性。
熱數(shù)據(jù)
- 結(jié)殼熱阻：最大0.45°C/W，確保有效的熱管理。
危險(xiǎn)物質(zhì)警告
- 鈹氧化物：設(shè)備引腳和金屬法蘭之間的陶瓷部分含有鈹氧化物，其粉塵具有高毒性。在處理和安裝過(guò)程中需小心，避免損壞此區(qū)域。
環(huán)保合規(guī)
- RoHS合規(guī)：產(chǎn)品符合歐盟限制有害物質(zhì)使用的指令。
