| 主要功能 | 直流耐壓測試、絕緣電阻測試、絕緣擊穿電壓測試、波形顯示功能、ARC放電檢測功能、接觸檢查功能 (詳情請(qǐng)參照“各測試·功能”表) |
|---|---|
| 功能一覽 | 聯(lián)鎖、自動(dòng)放電、消除偏移、瞬時(shí)輸出、命令監(jiān)控、I/O HANDLER、按鍵鎖定、自檢、校準(zhǔn)期限檢測、EXT SW（遠(yuǎn)程控制） |
| 使用溫濕度范圍 | 0°C～40°C，80% RH或以下（無結(jié)露） |
| 適合標(biāo)準(zhǔn) | 安全性：IEC 61010 EMC：IEC 61326 |
| 電源電壓 | AC 100 V ～ 240 V |
功耗 | 約180 VA※ ※ 電源條件為電源電壓220 V、電源頻率 50/60 Hz、測試模式直流耐壓測試、測試電壓2.5 kV、負(fù)載電流5 mA負(fù)載電阻500 kΩ）的情況下。 |
最大額定功率 | 800 VA |
接口 | 通訊：USB，LAN，EXT. I/O 選件：RS-232C（Z3001），GP-IB（Z3000） 存儲(chǔ)：U盤 |
尺寸·重量 | 305（W）×142（H）×430（D）mm（不含突起物） |
附件 | 電源線，CD-ROM（PDF：使用說明書，通訊使用說明書），EXT.I/O用公頭連接器，EXT.I/O用連接器蓋EXT.I/O用聯(lián)鎖解除治具，啟動(dòng)指南 |
各測試·功能
| 直流耐壓測試 | 輸出電壓：DC 0.050 kV ～ 3.000 kV(1 V分辨率) 輸出設(shè)置精度：±（1.2% of setting + 20 V） 輸出電流/截止電流：20 mA max 電流精度（*1）：3.00 mA ＜：±（1.5% rdg.＋2 μA）≤ 3.00 mA：±1.5% rdg. 最小分辨率：0.001 μA 測試時(shí)間：0.1 s ～ 999 s，Continue（Timer OFF） 電壓上升/下降時(shí)間：0.1 s ～ 300 s / 0.1 s ～ 300 s，OFF 短路電流200 mA 以上 測試模式W→IR，IR→W，程序測試 |
|---|---|
| 絕緣電阻測試 | 輸出電壓：DC 50 V ～ 1000 V(1 V分辨率) 輸出設(shè)置精度：±（1.2% of setting + 20 V） 電阻值顯示范圍：100.00 kΩ ～ 200.0 GΩ（0.01 kΩ分辨率） |
| 絕緣擊穿電壓測試 | 測試方法：連續(xù)升壓測試，逐級(jí)升壓測試 設(shè)定內(nèi)容：初始電壓，結(jié)束電壓，升壓速度，ARC檢測，電極間距離，電流上限值 檢測有效電壓：150V以上 |
| 波形顯示功能 | 波形顯示內(nèi)容：電壓，電流，絕緣電阻 采樣速度：500 kS/s 內(nèi)存容量：512 K words |
| ARC放電檢測功能 | 檢測方式：監(jiān)視試驗(yàn)測試電壓的變動(dòng) 設(shè)定內(nèi)容：測試電壓變動(dòng)率1％～50％ 檢測有效電壓：150V以上 |
| 存儲(chǔ)功能 | ·波形·圖形
·面板保存功能
·數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 |
| 判定功能（判定輸出） | 判定為PASS，判定為FAIL（UPPER FAIL，LOWER FAIL） UPPER_FAIL：測量值＞上限值 PASS：上限值≥測量值≥下限值 LOWER_FAIL：測量值＜下限值 |
| 注記（*1） | 環(huán)境溫度t不足5℃時(shí)加上±(1% rdg.×(5-t ) ) 環(huán)境溫度t超過35℃時(shí)加上±(1% rdg.×(t-35 ) ) |
絕緣電阻測量精度（*2）（精度保證測試電壓范圍：50 V ~ 2000 V）
| 測試范圍 | 100 kΩ ～ 99.99 GΩ | |
|---|---|---|
| 10 nA ≦ I ≦ 3 μA | 100 MΩ ～ 999.9 MΩ 1.00 GΩ ～ 99.99 GΩ | ±(20% rdg.) |
| 100 nA ≦ I ≦ 30 μA | 10.00 MΩ ～ 99.99 MΩ 100.0 MΩ ～ 999.9 MΩ | ±(5% rdg.) |
| 1 μA ≦ I ≦ 300 μA | 1.000 MΩ ～ 9.999 MΩ 10.00 MΩ ～ 99.99 MΩ | ±(2% rdg. + 5 dgt.) |
| 10 μA ≦ I ≦ 3 mA | 100.0 kΩ ～ 999.9 kΩ 1.000 MΩ ～ 9.999 MΩ | ±(1.5% rdg. +3 dgt.) |
| 100 μA ≦ I ≦ 20 mA | 100.0 kΩ ～ 999.9 kΩ | ±(1.5% rdg. +3 dgt.) |
| 注記（*2） | · 測試電壓為50 V?99 V時(shí)，測量精度加算±10% · 測試電壓為100 V?999 V時(shí)，測量精度加算±5% · 測試電壓為1000 V?2000 V時(shí)，測量精度加算±2% · 環(huán)境溫度t小于5℃時(shí)，加上測量電流I < 100 nA:±(5% rdg.×(5-t ) )，或者加上測量電流I≧100 nA:±(1% rdg.×(5-t ) ) · 環(huán)境溫度t超過35℃時(shí)，加上測量電流I < 100 nA:±(5% rdg.×(t-35 ) )，或者加上測量電流I≧100 nA:±(1% rdg.×(t-35 ) ) · 測定速度為FAST2時(shí)，測量精度加倍 | |
