TXS4558 雙 SIM 卡電源，配備電平轉(zhuǎn)換器和專用雙路 LDO

數(shù)據(jù)：雙 SIM 卡電源，配備電平轉(zhuǎn)換器和專用雙路 LDO 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)

描述

TXS4558是一款完整的雙電源待機(jī)智能身份模塊（SIM）卡解決方案，用于將無線基帶處理器與兩個單獨的SIM用戶卡相連，以存儲移動手機(jī)應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)。這是一款定制器件，用于把單個SIM /UICC接口擴(kuò)展至能夠支持兩個SIM /UICC（通用集成芯片卡）。

該器件不干符合ISO /IEC智能卡接口要求，而且還支持GSM與3G移動標(biāo)準(zhǔn)。它包含能夠支持B類（2.95 V）與C類（1.8 V）接口的高速電平轉(zhuǎn)換器，低壓降（LDO））穩(wěn)壓器，可在2.95 V B類與1.8 V C類接口之間選擇輸出電壓。簡單GPIO輸入用于在兩個SIM卡之間進(jìn)行交換并使其進(jìn)入不同模式。電壓電平轉(zhuǎn)換器具有兩個電源電壓引腳.VCC負(fù)責(zé)設(shè)定用于基帶接口的基準(zhǔn)，并可采用1.65V至3.3V的工作電壓.VSIM1和VSIM2被設(shè)置為
1.8V或2.95V，各由一個獨立的內(nèi)部LDO穩(wěn)壓器供電。集成LDO可接受2.3V至5.5V的輸入電池電壓，并且B側(cè)電路及外部B類或C類SIM卡輸出高達(dá)50mA的電流。

此外，TXS4558還根據(jù)SIM卡的ISO 7816 -3規(guī)范為SIM卡引腳整合了關(guān)斷定序功能。該器件不存可為SIM引腳提供8 kV HBM保護(hù)，而且還可為所有其它引腳提供標(biāo)準(zhǔn)2kV HBM保護(hù)。

特性

電平轉(zhuǎn)換器
- V _CC的電壓范圍1.65 V至3.3 V
- V _BATT的電壓范圍2.3 V至5.5 V
低壓降（LDO）穩(wěn)壓器
- 50 mA LDO調(diào)節(jié)器具有可用的
- 1.8-V或者2.95-V可選輸出電壓
- 超低壓降：在100 mV（最大值）電壓下50 mA
通過GPIO接口與基帶處理器實現(xiàn)控制和通信
用于SIM1和SIM2卡的分離時鐘停止模式
ESD保護(hù)等級超過JESD 22標(biāo)準(zhǔn)的要求
- 2000-V人體模式（A114-B）
- 500-V充電設(shè)備模式（C101）
- 8kV HBM用于SIM引腳
封裝
- 20-引腳QFN（3 mm x 3 mm）

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?應(yīng)用特定電壓轉(zhuǎn)換

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Bits (#)
Pin/Package
Static Current (mA)
Rating
Features
ICCA Static Current (mA)
ICCB Static Current (mA)
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TXS4558	TXS02324	TXS02326A	TXS4555
3 6 ? ?	3 6 ? ?	3 6 ? ?	3 ? ?
20WQFN ? ?	20WQFN ? ?	24VQFN ? ?	12UQFN 16VQFN ? ?
0.005 ? ?	0.005 ? ?	0.005 ? ?	0.005 ? ?
Catalog ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?	Catalog ? ?
SIM Card ? ?	SIM Card ? ?	SIM Card ? ?	SIM Card ? ?
0.005 ? ?	0.005 ? ?	0.005 ? ?	0.005 ? ?
0.04 ? ?	0.035 ? ?	0.005 ? ?	0.04 ? ?