MC33GD3100EK NXP Semiconductors MC33GD3100高級(jí)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器
數(shù)據(jù):
NXP Semiconductors MC33GD3100高級(jí)IGBTSiC柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf
NXP Semiconductors MC33GD3100高級(jí)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,用于絕緣柵極雙極晶體管和碳化硅功率器件。MC33GD3100柵極驅(qū)動(dòng)器具有高級(jí)功能安全、控制和保護(hù)特性,非常適合用于汽車和電動(dòng)汽車傳動(dòng)系應(yīng)用。 集成電流隔離和低導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)晶體管實(shí)現(xiàn) 高充電和放電電流、低動(dòng)態(tài)飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制。電流和溫度檢測可最大限度地降低故障期間的IGBT應(yīng)力。精確、 可配置的欠壓閉鎖 (UVLO) 提供保護(hù),同時(shí)確保足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電壓裕量。
MC33GD3100自主管理严重故障,并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态 。它能够直接驱动大多数IGBT 和SiC MOSFET的栅极。该器件 具有自检、控制和保护功能,用于设计高可靠性系统 (ASIL C/D)。它满足汽车 应用的严格要求,完全符合AEC-Q100 1级标准。
特性
- SPI接口,用于安全监控、可编程性和灵活性
- 低传播延迟和最小PWM失真
- 集成电流信号隔离(高达8kV)
- 集成栅极驱动功率级,能够实现15A峰值拉电流和灌电流
- 全可编程有源米勒钳位
- 兼容负栅极电源
- 兼容电流检测和温度检测IGBT
- 集成软关断、两级关断、有源钳位和分段驱动,用于波形整形
- CMTI >100V/ns
- 兼容200V至1700V IGBT/SiC,功率范围>125kW
- 外部爬电距离 (CPG):>7.8mm
- 工作频率:>40kHz
- 可提供5.0V和3.3V耐受MCU接口
- 工作温度范围:-40°C至125°C
- 封装类型:32引脚宽体SOIC
- 安全特性
- 符合ASIL D ISO26262功能安全要求,实现全面诊断
- 电流、DESAT和温度检测输入以及IGBT/SiC监控用ADC报告
- 快速短路保护、过流保护、温度警告和关断
- 中断引脚,用于快速响应故障
- 所有模拟和数字电路内置自检功能
- 芯片到芯片通信连续看门狗
- 死区时间执行
- 对低压和高压侧的所有电源进行过压和欠压监控
- 低压侧和高压侧均设有故障安全状态管理引脚
- VGE实时逐周期监控
- 监管机构认证
- 符合DIN V VDE V 0884-10标准的加强型绝缘
- 耐受UL 1577标准规定的2500VRMS(1分钟)隔离
- CSA元件认可通知5A
- 符合AEC-Q100 1级汽车标准
应用
- 电动汽车车载充电器 (OBC) 和外部 充电器
- 其他高压交流电机控制应用
开发工具
NXP Semiconductors RDGD3100F3PH5EVB和RDGD3100I3PH5EVB板
功能齐全的三相电源栅极驱动参考设计,配有六个GD3100栅极驱动器。
NXP Semiconductors FRDM-GD3100评估板
配有两个MC33GD3100单通道IGBT栅极驱动器,可在半桥模式下工作。
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