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MC33GD3100EK NXP Semiconductors MC33GD3100高級(jí)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器

數(shù)據(jù):

NXP Semiconductors MC33GD3100高級(jí)IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,用于絕緣柵極雙極晶體管和碳化硅功率器件。MC33GD3100柵極驅(qū)動(dòng)器具有高級(jí)功能安全、控制和保護(hù)特性,非常適合用于汽車和電動(dòng)汽車傳動(dòng)系應(yīng)用。 集成電流隔離和低導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)晶體管實(shí)現(xiàn) 高充電和放電電流、低動(dòng)態(tài)飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制。電流和溫度檢測可最大限度地降低故障期間的IGBT應(yīng)力。精確、 可配置的欠壓閉鎖 (UVLO) 提供保護(hù),同時(shí)確保足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電壓裕量。

MC33GD3100自主管理严重故障,并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态 。它能够直接驱动大多数IGBT 和SiC MOSFET的栅极。该器件 具有自检、控制和保护功能,用于设计高可靠性系统 (ASIL C/D)。它满足汽车 应用的严格要求,完全符合AEC-Q100 1级标准。

特性

  • SPI接口,用于安全监控、可编程性和灵活性
  • 低传播延迟和最小PWM失真
  • 集成电流信号隔离(高达8kV)
  • 集成栅极驱动功率级,能够实现15A峰值拉电流和灌电流
  • 全可编程有源米勒钳位
  • 兼容负栅极电源
  • 兼容电流检测和温度检测IGBT
  • 集成软关断、两级关断、有源钳位和分段驱动,用于波形整形
  • CMTI >100V/ns
  • 兼容200V至1700V IGBT/SiC,功率范围>125kW
  • 外部爬电距离 (CPG):>7.8mm
  • 工作频率:>40kHz
  • 可提供5.0V和3.3V耐受MCU接口
  • 工作温度范围:-40°C至125°C
  • 封装类型:32引脚宽体SOIC
  • 安全特性
    • 符合ASIL D ISO26262功能安全要求,实现全面诊断
    • 电流、DESAT和温度检测输入以及IGBT/SiC监控用ADC报告
    • 快速短路保护、过流保护、温度警告和关断
    • 中断引脚,用于快速响应故障
    • 所有模拟和数字电路内置自检功能
    • 芯片到芯片通信连续看门狗
    • 死区时间执行
    • 对低压和高压侧的所有电源进行过压和欠压监控
    • 低压侧和高压侧均设有故障安全状态管理引脚
    • VGE实时逐周期监控
  • 监管机构认证
    • 符合DIN V VDE V 0884-10标准的加强型绝缘
    • 耐受UL 1577标准规定的2500VRMS(1分钟)隔离
    • CSA元件认可通知5A
    • 符合AEC-Q100 1级汽车标准

应用

  • 电动汽车牵引电机
  • 高压直流-直流转换器
  • 电动汽车车载充电器 (OBC) 和外部 充电器
  • 其他高压交流电机控制应用

开发工具

NXP Semiconductors RDGD3100F3PH5EVB和RDGD3100I3PH5EVB板

功能齐全的三相电源栅极驱动参考设计,配有六个GD3100栅极驱动器。

NXP Semiconductors FRDM-GD3100评估板

配有两个MC33GD3100单通道IGBT栅极驱动器,可在半桥模式下工作。

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框图

技術(shù)文檔

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