Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

　　20V P溝道器件具有低導(dǎo)通電阻和超薄PowerPAK? 1212-8S封裝

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。

　　《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步，以及性價(jià)比的卓越表現(xiàn)，從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中進(jìn)行評(píng)選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新，以及在適配器、電池、負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用中取得的成功而入選。

　　《今日電子》Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)在9月12日北京國(guó)賓酒店舉行的電源技術(shù)研討會(huì)上頒發(fā)。Vishay北京辦事處的銷(xiāo)售客戶經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)獎(jiǎng)。

　　普通中文版的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品名單見(jiàn)下面的網(wǎng)址：

　　http://www.21ic.com/wz/CRXDQWHFA/20130901/20130901.htm

　　Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先P溝道Gen III技術(shù)，最大導(dǎo)通電阻為3.6mΩ（-10V）、4.8mΩ（-4.5V）和8.5mΩ（-2.5 V）。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。

　　Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運(yùn)行的時(shí)間更長(zhǎng)。器件的PowerPAK 1212-8S封裝標(biāo)稱(chēng)高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封裝薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時(shí)保持相同的PCB布版樣式。

　　產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接：

　　http://www.vishay.com/doc？63617

　　VISHAY簡(jiǎn)介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1，000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。