引言
處理必要的大電流和脈沖電壓。這樣的開關(guān)必需能夠連接各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電路,具體取決于被測電源的類型及其應(yīng)用。有些情況下,可以采用商業(yè)化的測試負(fù)載或開發(fā)一套測試流程。如果開關(guān)的一側(cè)連接在電源的公共端,測試過程將相對簡單。否則,就必須設(shè)計(jì)開關(guān)驅(qū)動器,使設(shè)計(jì)變得復(fù)雜。一個(gè)足夠靈活、能夠支持電源瞬態(tài)故障測試的開關(guān)將是一個(gè)非常有用的測試工具。綜上所述,可以歸納出對這種開關(guān)的要求,包括最大額定電壓和額定電流,用來測試目前市場上多數(shù)中等功率的電源。
這種開關(guān)應(yīng)該能夠處理100A的電流,承受至少75V的開路電壓。開關(guān)需要在兩個(gè)方向滿足電流、電壓的要求,因?yàn)橐恍y試會產(chǎn)生電流振鈴,有些電源電路需要雙極性輸出。開關(guān)的通、斷速度應(yīng)該保持在幾十納秒以內(nèi),以便觀察電路的瞬態(tài)響應(yīng)。開關(guān)的串聯(lián)電阻必須足夠低,串聯(lián)電感也必須非常低,這意味著需要采用緊湊的物理結(jié)構(gòu)和非常短的電流路徑。此外,還要求開關(guān)提供電氣隔離,具有非常低的輸出對地電容??傊瑢τ陂_關(guān)的基本要求是當(dāng)開關(guān)連接到電路時(shí)不會電路的性能和響應(yīng)。
電路說明
圖1所示開關(guān)設(shè)計(jì)滿足上述多項(xiàng)指標(biāo)的要求,它通過一個(gè)數(shù)字隔離耦合器實(shí)現(xiàn),該耦合器的端到端電容小于1pf??倐鬏斞訒r(shí)為80ns,輸出上升時(shí)間接近40ns。輸出級由兩個(gè)低RDSON的MOSFET構(gòu)成,能夠處理雙極性200A、75V的電源瞬變。開關(guān)元件(兩個(gè)反向連接的輸出MOSFET)具有7mΩ導(dǎo)通電阻和25nH導(dǎo)通電感。導(dǎo)通狀態(tài)下,對于雙向電流(包括零點(diǎn))表現(xiàn)為線性電阻,類似于導(dǎo)線連接,不會引入諧波失真。
圖1. 該電路利用5V邏輯信號控制獨(dú)立的(隔離)功率開關(guān)Q1–Q2,能夠處理200A、75V的脈沖信號。
對于吸收電流大于50A的小阻值負(fù)載,開關(guān)上升時(shí)間(定義為瞬間導(dǎo)通)由導(dǎo)通電感決定。電流較低時(shí),上升時(shí)間小于40ns,下降時(shí)間(瞬間關(guān)斷)主要由負(fù)載阻抗決定。
電路隔離側(cè)(開關(guān))的電源由一組3節(jié)3V鋰離子原電池串聯(lián)而成(CR2025鋰錳電池)。對于幾kHz的開關(guān)頻率,標(biāo)稱值為170mAh的這種電池能夠連續(xù)使用一個(gè)多月。對于常見的測試平臺,電池的使用壽命大概為3個(gè)月(左側(cè)始終連接)。
輸入為0V至5V的數(shù)字信號,只要求上升沿和下降沿時(shí)間小于20ns,最小脈寬為50ns (通或斷)。傳導(dǎo)電流小于18A時(shí),開關(guān)處于不確定的通或斷狀態(tài)。
圖1中,IC1和IC2構(gòu)成邊沿檢測電路,在T1原邊的一端施加窄脈沖,極性取決于輸入沿,另一側(cè)保持低電平。T1副邊連接了一個(gè)同相邏輯緩沖器(輸入到輸出),由IC3雙通道低邊功率MOSFET驅(qū)動器中的一個(gè)通道構(gòu)成。這個(gè)緩沖器如同一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路(即觸發(fā)器),當(dāng)T1原邊作用正脈沖時(shí)置位,作用負(fù)脈沖時(shí)復(fù)位。雙穩(wěn)態(tài)電路輸出相當(dāng)于電路輸入(作用在邊沿檢測電路的數(shù)字輸入)的拷貝。
IC3的另一半和IC4的兩路驅(qū)動器并聯(lián),其輸入連接至雙穩(wěn)態(tài)輸出,利用并聯(lián)輸出驅(qū)動兩個(gè)反向連接的低RDSON MOSFET (IRFB3077)的柵極,兩個(gè)MOSFET的漏極接外部電源,兩個(gè)柵極和兩個(gè)源極分別接在一起。三個(gè)驅(qū)動器并聯(lián)后可有效提高功率MOSFET的開關(guān)速度,因?yàn)镮C2–IC3均分電流,每個(gè)驅(qū)動器可提供4A的峰值電流,并聯(lián)后總電流可以達(dá)到12A,MOSFET源極接電池負(fù)極。
MAX5048的輸入邏輯簡化了邊沿檢測電路的設(shè)計(jì),MAX5054的低靜態(tài)電流有助于延長電池的使用壽命。因此,本設(shè)計(jì)中使用了類似但不相同的IC,分別用于低邊(控制和隔離,IC1、IC2)和高邊(功率驅(qū)動,IC3、IC4)驅(qū)動。
圖2給出了電源開關(guān)的等效電路,包括主要的寄生元件。對于整個(gè)供電電路,開關(guān)能夠承受的連續(xù)功率取決于散熱器。散熱器會顯著增大寄生輸出電容,本設(shè)計(jì)中沒有包括散熱器。處理200A脈沖電流時(shí)需要一些補(bǔ)充條件,必須將脈沖寬度限制在8ms以內(nèi),開關(guān)占空比限制在0.5%以內(nèi)。對于80A的瞬態(tài)信號,脈沖時(shí)間不受限制,持續(xù)時(shí)間較長(達(dá)到50ms),但占空比不得超過3%。
圖2. 該功率開關(guān)電路是圖1電路的等效架構(gòu),包含了主要寄生元件。
室溫下切換一個(gè)未經(jīng)箝位的電感時(shí),電路能夠吸收的能量是280mJ (單個(gè)脈沖,不重復(fù)出現(xiàn))或200mJ (最大占空比為1%的脈沖)。
耦合變壓器設(shè)計(jì)要求小尺寸、低繞線電容:原邊一匝、副邊兩匝,繞制在Fair-Rite 7.5 x 7.5m的鐵氧體磁珠。變壓器結(jié)構(gòu)決定了開關(guān)負(fù)載和開關(guān)控制電路兩側(cè)的最大壓差。使用普通的漆包線絕緣架構(gòu)時(shí),可以提供1kV隔離,如果使用聚四氟乙烯或質(zhì)量更好的絕緣材料,則可提供1kV以上的隔離。對于要求更高隔離電壓的設(shè)計(jì),還需考慮封裝。
T1的鐵氧體磁芯為導(dǎo)體,不能在同一時(shí)刻連接到開關(guān)兩側(cè),開關(guān)內(nèi)部沒有閉鎖保護(hù),操作之前必須檢驗(yàn)鋰電池的狀態(tài)。上電后沒有電路能夠保證開關(guān)處于確定的狀態(tài)(通或斷)。因此,在接通其它電源之前必須先打開開關(guān)電源。開關(guān)狀態(tài)由最先作用到輸入端的瞬態(tài)決定,在給其它部分供電時(shí)至少使開關(guān)通、斷一次。
測試電路
圖3–圖5中頂部波形為數(shù)字輸入,底部波形是通過一個(gè)0.25Ω電阻負(fù)載觀察到的5μs脈沖波形,負(fù)載通過開關(guān)接50V電源。因?yàn)殡妷翰ㄐ巫饔迷谝粋€(gè)低電感薄膜電阻,可近似表示開關(guān)的電流波形。圖3所示近似200A的脈沖波形給出了過沖和上升時(shí)間(60ns至80ns),上升時(shí)間受高邊電流通道寄生電感、電容的影響。圖4給出了該脈沖的上升時(shí)間和導(dǎo)通延時(shí);圖5給出了下降時(shí)間和斷開時(shí)的傳輸延時(shí)。圖6–圖8給出了同樣的波形,負(fù)載為5Ω,10A脈沖,電源電壓為50V。上升時(shí)延接近于MOSFET固有的30ns至40ns的上升時(shí)延,受封裝和源阻抗的限制。圖3. 圖1測試結(jié)果,(1) 控制信號,(2) 在0.25Ω電阻兩端測試的5μs脈沖,電源電壓為50V。
圖4. 基于圖2的上升時(shí)間和導(dǎo)通傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。
圖5. 基于圖2的下降時(shí)間和關(guān)斷傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。
圖6. 圖1測試結(jié)果,(1) 控制信號,(2) 在5Ω電阻兩端測試的5μs脈沖,電源電壓為50V。
圖7. 基于圖6的上升時(shí)間和導(dǎo)通傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。
圖8. 基于圖6的下降時(shí)間和關(guān)斷傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。
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