Cypress推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nv

　　Cypress Semiconductor公司推出新款序列非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(nvSRAM)，可支持儀表、工業(yè)以及汽車等應(yīng)用所常用的I2C與SPI界面。新款組件提供高達(dá)104MHz的運作頻率，支持各種 SPI 組件(I2C產(chǎn)品則支持至3.4MHz)，并提供一款可選購的整合式實時頻率(RTC)，針對備份的關(guān)鍵數(shù)據(jù)提供時戳功能。

　　Cypress的 nvSRAM 采用儲存在外部電容器的電荷，而不是電池內(nèi)的電荷，因此能兼容于標(biāo)準(zhǔn) PCB 電路板的組裝制程。該 nvSRAM 并符合 RoHS 環(huán)保規(guī)格，可直接取代 SRAM 、電池供電SRAM (BBSRAM) 、以及 EEPROM 組件，提供高速非揮發(fā)數(shù)據(jù)儲存功能。在關(guān)閉電源時，系統(tǒng)會自動把 SRAM 內(nèi)的數(shù)據(jù)傳送到組件內(nèi)的非揮發(fā)儲存區(qū)。而啟動電源時，數(shù)據(jù)再從非揮發(fā)性內(nèi)存回存至 SRAM 。

　　針對儀表、工業(yè)、汽車以及磁盤陣列等應(yīng)用中，Cypress的 nvSRAM 可提供高速數(shù)據(jù)傳輸，并在供電中斷時確保數(shù)據(jù)完整性，而無需要電池供電。該 nvSRAM 以Cypress S8 0.13微米 SONOS (硅氧化硅)嵌入式非揮發(fā)內(nèi)存技術(shù)，實現(xiàn)卓越可靠性與效能，對于智慧電表、電力線通訊(PLC)、馬達(dá)驅(qū)動器、行車記錄器、磁盤陣列、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通訊系統(tǒng)等各種要求絕對非揮發(fā)數(shù)據(jù)安全性的應(yīng)用而言， nvSRAM 是理想的解決方案。

　　新款序列式 nvSRAM 系列組件包含1-Mbit、512-Kbit、256-Kbit以及64-Kbit等各種組態(tài)版本。這些組件具備卓越的效能，以及高達(dá)104MHz的 SPI 運作頻率，支持 SPI Modes 0 與3模式、無限的讀/寫與 RECALL 記憶次數(shù)、以及長達(dá)20年的數(shù)據(jù)保存期。這些組件符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的小底面積8-SOIC與16-SOIC封裝。

　　Cypress正將 S8 技術(shù)套用到新一代 PSoC 混合訊號數(shù)組組件、可程序頻率等眾多產(chǎn)品。 SONOS 兼容于標(biāo)準(zhǔn) CMOS 技術(shù)，并提供高耐用度、低功耗以及抗輻射等多項優(yōu)點。Cypress的 S8 0.13微米 SONOS 技術(shù)已在其內(nèi)部晶圓廠與多家晶圓代工伙伴的工廠中通過測試驗證。 SONOS 提供更卓越的擴(kuò)充性與可制性，勝過其他磁性或鐵電型非揮發(fā)內(nèi)存技術(shù)。

　　Cypress的序列 nvSRAM 提供I2C (1-Mbit: CY14B101J) 與 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)接口，采用小底面積的8-SOIC與16-SOIC封裝。此款組件提供512-Kbit、256-Kbit、以及64-Kbit 等密度版本，還可選購內(nèi)建實時頻率的版本。新款組件目前開始送樣，預(yù)計4月起開始量產(chǎn)。